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第三章 热电探测器件 热电探测器件工作的物理过程如下: 3.1 基本原理 对热电探测器件的分析，可分为两步： 第一步是按系统的热力学特性来确定入射辐射所引起的温升，这种分析对各种热电探测器件都适用； 第二步是根据温升来确定具体探测器件输出信号的性能。 在相同的入射辐射下，希望得到大的温升，就是说，探测器与外界的热耦合和热容以及调制频率等要小，这点是热电探测器件与普通的温度计的重要区别。二者虽然都有随温度变化的性能，但热电探测器件所需要的，不是要与外界有尽量好的热接触，必须达到热平衡，而是要与入射辐射有最佳的相互作用，同时又要尽量少的与外界发生热接触。 时间常数： ——热容，探测元每温升1K所需的热量，JK－1。 G ——热导，单位时间下降单位温度所散失的热量， JK－1S-1。 τ的数量级约为几毫秒至几秒，这比光电器件的时间常数大得多。因此，热电探测器件在某些应用领域中，所处的地位不如光电探测器件。但是，对系统中各种相互制约的因素进行综合考虑以后，这一缺点也许不那么严重。 为使探测器的热容小，应尽量使探测器的结构小、重量轻，同时要兼顾结构强度。后面提到的热释电器件就是一种灵敏度高和机械强度好的热电探测器。 热导G对于探测器灵敏度和时间常数的影响正好相反，G小，灵敏度高，但响应时间长。所以，在设计和选用热电探测器件时须采取折衷方案。另外G对探测极限也有影响。 探测器与外界的热耦合，主要有辐射交换和热传导两种形式。其中，辐射交换的热导率最小。如果只考虑辐射交换，不计因支架和引线等引起的热传导时，热导率的极限值可根据斯忒藩-波耳兹曼定律来估算。设当探测器与外界达到热平衡时，它所辐射的总通量为 其中σ为斯忒藩-波耳兹曼常数，T为温度，探测器的灵敏面面积为A，发射率为η 对上式两边进行微分， 由辐射交换所产生的热导G为 另外，根据统计计算，探测器与外界达到热平衡时，探测器的功率起伏均方根值为 式中，k为波耳兹曼常数，G为热导；Δf为测试系统的频带宽度。 实际上， 就是探测器因温度起伏所产生的噪声。 ??若式中的G取最小值，即G＝ ，并取Δf＝1Hz，则 将是可能取值中最小的，即 按最小可探测功率（NEP）的定义——输出端信噪比为1时，入射功率的有效值，有 则 此式表示了热电探测器件可能达到的最佳性能。如果所有的入射辐射全为探测器所吸收，即η=1，则上式可变为 式中， 若假定A＝1 ；T＝290K；Δf＝1Hz，则 此值可作为衡量实际探测器性能的比较基准。 为了与习惯保持一致，通常也使用NEP的倒数，即探测率D作为探测器探测最小光信号能力的指标 D=1/NEP 对于探测器，D越大越好。由于探测器的NEP常与探测器的面积Ad和测量系统带宽Δf乘积的平方根成正比，比较各种探测器的性能时，需除去Ad和Δf差别的影响，因此用归一化参数表示，归一化的等效噪声功率和探测率如下 3.2 温差电偶 温差电偶也叫热电偶，是最早出现的一种热电探测器件。其工作原理是温差电效应。 构成温差电偶的材料，既可以是金属，也可以是半导体。 在结构上既可以是线、条状的实体，也可以是利用真空沉积技 术或光刻技术制成的薄膜。实体型的温差电偶多用于测温，薄 膜型的温差电堆（由许多个温差电偶串联而成）多用于测量辐 射，例如，用来标定各类光源，测量各种辐射量，作为红外分 光光度计或红外光谱仪的辐射接收元件等。 由半导体材料构成的温差电偶，热 端接收辐射产生温升，半导体中载 流子动能增加。从而，多数载流子 要从热端向冷端扩散，结果P型材料 热端带负电，冷端带正电；而N型材 料情况正好相反。 当冷端开路时，开路电压为 式中，M为比例系数，称塞贝克常数，也称温差电势率，单位 为V/℃；ΔT为温度增量。 因G与材料性质和环境有关，所以为了使G较小，提高灵敏 度，并使工作稳定，常把温差电偶或温差电堆放在真空的外壳 里。 真空温差电偶的主要参量有：灵敏度（也叫响应率）R、响应时间常数τ、噪声等效功率NEP或比探测率D*等。 ??? 温差电偶的响应率为 ：冷端负载上所产生的电压降。 Φ：入射于探测器的辐射通量。 要使温差电偶的响应率高，应选用温差电势大的材料，并增大吸收系数。同时，内阻要小，热导也要小。在交变情况下，调制频率低时比调制频率高时的响应率高。减小调制频率ω和减小时间常数 都有利于提高响应率，可是ω与 是矛盾的，所以，响应率与带宽之积为一常数的结论，对于