第九章半导体磁敏传感器.pptVIP

将霍尔元件置于磁场中，左半部磁场方向向上，右半部磁场方向向下，从 a端通人电流I，根据霍尔效应，左半部产生霍尔电势VH1，右半部产生露尔电势VH2，其方向相反。因此，c、d两端电势为VH1—VH2。如果霍尔元件在初始位置时VH1=VH2，则输出为零；当改变磁极系统与霍尔元件的相对位置时，即可得到输出电压，其大小正比于位移量。 当磁敏二极管末受到外界磁场作用时，外加正向偏压后，则有大量的空穴从P区通过I区进入N区，同时也有大量电子注入P区，形成电流。只有少量电子和空穴在I区复合掉。 2. 磁敏二极管的工作原理 P+ N+ I区 r面 当磁敏二极管受到外界正向磁场作用时，则电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向r区偏转，由于r区的电子和空穴复合速度比光滑面I区快，因此，形成的电流因复合速度而减小。 P+ N+ I区 r面 H+ 当磁敏二极管受到外界反向磁场作用时，电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向I区偏移，由于电子和空穴复合率明显变小，因此，电流变大。 P+ N+ I区 r面 H- 利用磁敏二极管在磁场强度的变化下，其电流发生变化，于是就实现磁电转换。 （a） （b） （c） 图9-18 磁敏二极管工作原理示意图 P+ N+ I区 r面 H- P+ N+ I区 r面 H+ P+ N+ I区 r面 （三）、磁敏二极管的主要特性 1.磁电特性：在给定的条件下，磁敏二极 管输出的电压变化与外加磁场的关系。 （a）单只使用 （b）互补使用 B / 0.1T 2.0 -1.0 -2.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 1.0 ΔU/V B / 0.1T 2.0 -1.0 -2.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 1.0 ΔU/V 2.伏安特性：磁敏二极管正向偏压和通过其上电流的关系。 不同磁场强度H作用下，磁敏二极管伏安特性不同。例锗磁敏二极管的伏安特性。 1 3 5 7 9 2 1.5 1 0.5 0 -0.5 -1 -1.5 -2 U(V) I(mA) 第九章 半导体磁敏 传感器 简 介 磁敏式传感器都是利用半导体材料中的自由电子或空穴随磁场改变其运动方向这一特性而制成。（磁电效应） 按其结构可分为体型和结型两大类。 体型的有霍尔传感器，其主要材料InSb(锑化铟)、InAs（砷化铟）、Ge（锗）、Si、GaAs等和磁敏电阻InSb、InAs。 结型的有磁敏二极管Ge、Si,磁敏晶体管Si 应用范围可分为模拟用途和数字用途。 9.1.1 霍尔效应 图9-1 霍尔效应 UH b l d I FL FE v B 9.1 霍尔传感器 所以，霍尔电压UH可表示为 UH = EH b = vBb (9-3) 设霍尔元件为N型半导体，当它通电流I时 FL = qvB (9-1) 当电场力与洛仑兹力相等时，达到动态平衡，这时有 qEH=qvB 故霍尔电场的强度为 EH=vB （9-2） 流过霍尔元件的电流为 I = dQ / dt = bdvnq 得： v =I / nqbd (9-4) 所以： UH = BI / nqd 若取 RH = 1 / nq 　则 RH被定义为霍尔元件的霍尔系数。显然，霍尔系数由半导体材料的性质决定，它反映材料霍尔效应的强弱。 设 KH即为霍尔元件的灵敏度，它表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小. 单位是mV/（mA·T） 9.1.2 霍尔元件的构造及测量电路 基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件，霍尔元件多采用N型半导体材料。霍尔元件越薄(d 越小)，KH 就越大。霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成，如图所示。 1 构 造 霍尔片是一块半导体单晶薄片(一般为4mm×2mm×0.1mm)，它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用