光电技术第2讲.pptVIP

丹倍效应(Dember) 光生载流子扩散运动产生的伏特现象 半导体材料一部分被遮挡,一部分接受光照.受光面产生光生电子和空穴浓度大于小遮光区,载流子浓度差引起载流子向遮光区的扩散运动,电子的迁移率大于空穴迁移率.这样在受光面积累空穴,而遮光区积累电子,产生光生伏特现象.这种由于载流子迁移率的差别产生的伏特现象,称为 N0p0分别为热平衡载流子浓度;Δn0半导体表面处的光生载流子的浓度,μnμp分别为电子和空穴的迁移率. 当以适当频率的单色辐射照射到厚度为d的半导体样品上时,如果材料的吸收系数大于1/d,则背光面相当于遮光面,迎光面产生的载流子远比背光面高.在扩散力的作用下,形成双极性扩散运动,结果半导体的迎光面带正电,背光面带负电.产生光生伏特现象. 光磁电效应 半导体上外加磁场,磁场的方向与光照方向垂直,当半导体受光照产生丹倍效应时,由于电子和空穴在磁场中的运动会受到洛伦兹力的作用,使它们的运动轨迹发生偏转,空穴向半导体上方偏转,电子偏向下方.因此在垂直于光照方向和磁场方向的半导体上下表面上产生伏特电压,称为光磁电场.称为半导体的光磁电效应. 光电牵引效应 当光子与半导体中的自由载流子作用时,光子把动量传递给自由载流子,自由载流子将顺着光线的传播方向做相对于晶格的运动,结果,在开路的情况下,半导体样品将产生电场,它阻止 载流子运动,称为光子牵引效应. 利用光子牵引效应可以检测低频