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3.7 光学传感器及其医学应用 常向荣 changxiangrong@163.com 主要内容 3.7.1 光学效应 3.7.2 光电器件的基本特性参数 3.7.3 光电管、 光电倍增管 3.7.4 光电池 3.7.5 光敏二极管和光敏晶体管 3.7.6 生物化学谱分析仪器光学测量原理 3.7.7 光固态图像传感器 光学传感器是将光信号转换为电信号的一种传感器。也称为光电式传感器 从而实现非电量的光信号电测量。 光电传感器具有反应速度快、检测灵敏度高、可靠性好、抗干扰能力强、结构简单等一系列优点，因此在生物医学测量系统中得到了广泛的应用。 本节课简要 光 对光的利用 怎样把光转换成电的器件 怎样利用被测量改变了光的辐照度，由此利用本节的器件转换成电，进行测量 一句话：输入是光，输出是电，研究光电之间的关系 （改变光的其它性能在3.9光纤传感器有介绍） 光的基本特性 3.7.1 光电效应 光电效应： 指当光照射到物体上时,物体受到一连串具有能量光子的轰击。于是物体中的电子吸收了光子的能量而产生电效应，包括发射电子，产生电动势或改变电导率等。 光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类 主要表现有：发射电子、产生电动势或改变电导率等。 外光电效应 在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫做光电子。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。 光电效应遵循两个定律： 斯托列夫定律： 频率不变，饱和光电流与入射光强度成正比。 是光电管与光电倍增管检测的基础 爱因斯坦定律 光电子最大动能，与入射光频率成线性关系，与入射光强度无关。 外光电效应 根据爱因斯坦假设，一个电子只能接受一个光子的能量，所以要使一个电子从物体表面逸出，必须使光子的能量大于该物体的表面逸出功，超过部分的能量表现为逸出电子的动能。外光电效应多发生于金属和金属氧化物，从光开始照射至金属释放电子所需时间不超过10-9s。 根据能量守恒定理 内光电效应 当光照射在物体上，使物体的电导率ρ发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应，它多发生于半导体内。根据工作原理的不同，内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类。 （1） 光电导效应 光电导体 在光作用下，其电导率发生变化的现象。 光照射到绝大多数高电阻率半导体材料，引起该材料的电阻率下降而易于导电的现象。 （2） 光生伏特效应 某些半导体或电解质材料，在光线的作用下，产生一定方向的电动势的现象。 ①势垒效应（结光电效应）。 接触的半导体和PN结中，当光线照射其接触区域时，便引起光电动势，这就是结光电效应。以PN结为例，光线照射PN结时，设光子能量大于禁带宽度Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，被光激发的电子移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而使P区带正电，N区带负电，形成光电动势。 ②侧向光电效应。 当半导体光电器件受光照不均匀时，有载流子浓度梯度将会产生侧向光电效应。 当光照部分吸收入射光子的能量产生电子空穴对时，光照部分载流子浓度比未受光照部分的载流子浓度大，就出现了载流子浓度梯度，因而载流子就要扩散。电子迁移率比空穴大，那么空穴的扩散不明显，则电子向未被光照部分扩散，就造成光照射的部分带正电，未被光照射部分带负电，光照部分与未被光照部分产生光电动势。基于该效应的光电器件如半导体光电位置敏感器件（PSD） 3.7.2 光电器件的基本特性参数 光辐射能量的强度与光敏器件产生的电学性能之间的关系 响应度 光敏器件输出电压与入射光功率之比 光谱特性 光敏器件对不同波长的同强度的辐射响应度不一样，表征波长与响应度之间的关系称为光谱特性 噪声等效功率 当入射到光敏器件面上的辐射功率所产生的响应电压，刚好等于该器件噪声电压时，那么这个辐射功率称为噪声等效功率（最小可探测光功率 ）。 响应时间τ 是描述光敏器件对入射光辐射响应快慢的参数。 入射光具有一定的频率，光敏器件对不同频率的响应不同，对于该器件有一定的频率范围，定义： 从响应的峰值到下降3dB时，称为截止频率。 响应时间τ决定了光敏器的频率响应的带宽。（如何理解？） 线性度 是指光敏器件输出光电流（或电压）与输入光功率成线性比例的程度和范围 3.7.3 光电管与光电倍增管 光电管 基于外光电效应的基本光电转换器件。 光电管可使光信号转换成电信号。 分真空光电管和充气光电管两种。 光电管的典型结构 是将球形玻璃壳抽成真空，在内半球面上涂一层光电材料作为阴极，球心放置小球形或小环形金属作为阳极。 若球内充