双极型晶体管MOS管介绍.pptVIP

§1.3 双极型晶体管 单结晶体管和可控硅 单结晶体管──由一个PN结构成的负阻器件 可控硅──又称晶闸管, 由三个PN结构成的大功率可控整流器件, 集成电路简介 集成电路是采用一定的制造工艺,将晶体管,场效应管, 电阻,电容等许多元件组成的具有完整功能的电路制作在同一块硅片上,并加以封装所构成的半导体器件. 集成电路的制造工艺有: 氧化,光刻,掩模,扩散,外延,蒸铝等 集成电路中最基本的元件是PN结.利用PN结可制作电阻,电容,二极管,三极管,场效应管( 电感不行).各PN结之间必须绝缘隔离. N 基底:N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结构 1-4.1 结型场效应管: 导电沟道 drain electrode n.漏极 grid n.栅极 source n.源极 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 二、工作原理（以P沟道为例） UDS=0V时 P G S D UDS UGS N N N N ID PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 P G S D UDS UGS N N ID UDS=0V时 N N UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当