第8章霍尔式传感器装置.pptVIP

第8章 霍尔式传感器 主要内容 8.1 霍尔效应（重点） 8.2 霍尔系数和灵敏度（重点） 8.3 材料及结构特点 8.4 基本电路形式（重点） 8.5 电磁特性（重点） 8.6 误差分析及其补偿方法（重点、难点） 8.7 应用（重点） 8.1 霍尔效应（Hall-effect） 在与磁场垂直的N型半导体薄片上通以电流I，假设载流子为电子，它沿与电流I相反的方向运动。由于洛仑兹力fL的作用，电子将向一侧偏转，并使该侧形成电子的积累。 8.1 霍尔效应（Hall-effect） 8.2 霍尔系数和灵敏度 1、霍尔系数RH (1)定义： (2)含义： 大小反映出霍尔效应的强弱 (3)作用：材料选择 由电阻率公式 ，得 结论： 1)一般电子的迁移率大于空穴的迁移率，因此制作霍尔元件时多采用N型半导体材料； 2)由于金属的电子浓度很高，所以它的霍尔系数或灵敏度都很小，因此不适宜制作霍尔元件。 8.2 霍尔系数和灵敏度 2、灵敏度 (1)定义： (2)含义：表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流作用下霍尔电势的大小，其单位是 (3)作用：元件的厚度d越小，灵敏度越高，因而制作霍尔片时可采取减小d的方法来增加灵敏度，但是不能认为d越小越好，因为这会导致元件的输入和