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第三章 半导体光电器件 3.2势垒型光电探测器件 3.2势垒型光电(光伏) 探测器件 3.2.1 概述 3.2.2 光电池 3.2.3 光电二极管 3.2.4 PIN光电二极管 3.2.5 雪崩光电二极管 3.2.6 光电三极管 3.2.7 光电场效应管 3.2.8 光伏探测器的使用要点 3.2.1概述 利用半导体PN结光伏效应制成的器件称为光伏器件，也称结型光电器件(光敏电阻为匀质型)。 常见的光伏器件：光电池、 光电二极管、 光电晶体管、光电场效应管、PIN管、 雪崩光电二极管、 和光电导探测器不同，光伏探测器的工作特性要复杂一些。通常有光电池和光电二极管之分，也就是说，光伏探测器有着不同的工作模式。因此在具体讨论光伏探测器的工作特性之前，首先我们必须弄清楚它的工作模式问题。 一、光电转换原理 为了便于理解在后面将要引入的光伏探测器的等效电路，我们先讨论一下光伏探测器的光电转换规律是十分必要的。 PN结光伏探测器的典型结构如图所示。 为了说明光功率转换成光电流的关系，我们设想光伏探测器两端被短路，并用一理想电流表记录光照下流过回路的电流，这个电流常常称为短路光电流。 PN结光伏探测器的作用原理如图所示： 假定光生电子-空穴对在PN结的结区，即耗尽区内产生。由于内电场作用，电子向n区，空穴向p区漂移运动，被内电场分离的电子和空穴就在外回路中形成电流。 就光电流形成的过程而言，光伏探测器和光电导探测器有十分类似的情况。 就光电流形成的过程而言，光伏探测器和光电导探测器有十分类似的情况。 可以证明：在光伏情况下一个光生电子—空穴对对外回路所贡献的总电荷量： 光伏探测器的内电流增益等于1。 二、光伏探测器的工作模式 现在我们可以说，一个PN结光伏探测器就等效为一个普通二极管和一个恒流源(光电流源)的并联，如图 (b)所示。 它的工作模式则由外偏压回路决定。 在零偏压时(图 (c))，称为光伏工作模式。 当外回路采用反偏压V 时(图 (d))，即外加P端为负n端为正的电压时，称为光导工作模式。 我们知道，普通二极管的伏安特性为 因此，光伏探测器的总伏安特性应为 和 之和，考虑到二者的流动方向，我们有： 式中i是流过探测器的总电流，iso是二极管 反向饱和电流，ip是短路光电流，e是电子 电荷，u是探测器两端电压，K是玻耳兹曼 常数，T是器件的绝对温度。 把上式中i和u为纵横坐标作成曲线，就是光伏探测器的伏安特性曲线。 光伏探测器的伏安特性曲线如图所示。 从图可见，第一象限是正偏压状态，id本来就很大，所以光电流不起重要作用。作为光电探测器，工作在这一区域没有意义。 第三象限里，是反偏压状态。 这时id=iSO，它是普通 二极管中的反向饱和电流， 现在称为暗电流(对应于 光功率P=0)，数值很小， 这时的光电流(等于i-iSO) 是流过探测器的主要电流， 这对应于光导工作模式。 通常把光导工作模式的光伏探测器称为光电二极管，因为它的外回路特性与光电导探测器十分相似。 在第四象限中，外偏压为零。流过探测器的电 流仍为反向光电流，随着光功率的不同，出现明 显的非线性。这时探测器 的输出是通过负载电阻RL 上的电压或流过RL上的电 流来体现，因此，称为光 伏工作模式。通常把光伏 工作模式的光伏探测器称 为光电池。 3.2.2光电池 一、概述 二、符号、连接电路、等效电路 三、光电池的特性参数 四、用途 一、概述 光电池的基本结构就是一个PN结（零偏状态）。 按材料分，有硅、硒、硫化镉、砷化镓和无定型材料的光电池等。按结构分，有同质结和异质结光电池等。 光电池中最典型的是同质结硅光电池。 国产同质结硅光电池因衬底材料导电类型不同而分成2CR系列和2DR系列两种。 2CR系列硅光电池是以N型硅为衬底，P型硅为受光面的光电池。受光面上的电极称为前极或上电极，为了减少遮光，前极多作成梳状。衬底方面的电极称为后极或下电极。为了减少反射光，增加透射光，一般都在受光面上涂有SiO2或MgF2，Si3N4，SiO2－MgF2等材料的防反射膜，同时也可以起到防潮，防腐蚀的保护作用。 硅光电池结构示意如图 硅光电池:它是在N型硅片上扩散硼形成P型层，并用电极引线把P型和N型层引出，形成正负电极。SiO2为防止表面反射光，提高转换效率。 二、符号、连接电路、等效电路 光电池等效为一个普通晶体二极管和一个恒流源（光电流源）的并联。 三、光电池的特性参数 伏安特性 光照特性（光电特性） 光谱特性 频率特性 温度特性 伏安特性 输出电流和电压和负载电阻的变化曲线。 二极管的伏安特性 由等效电路图可知 暗电流：当光通量为零时，是光电池加反向偏压后出现的暗电流 开路电压：当I=0时， （开路）