碳化硅开关管的选择-优缺点对比.pptxVIP

应用增强型碳化硅结型晶体管的功率因数校正技术 Robin Kelley1,2, Michael Mazzola1, Shane Morrison2, Igor Sankin2, David Sheridan2, and Jeff Casady2 密西西比州立大学车辆系统研究中心 E-mail: mazzola@ece.msstate.edu;目录 碳化硅开关器件的选择问题 三端（无共源共栅结构放大器）增强型（常关）碳化硅结型场效应晶体管 在采用标准PWM芯片或MOSFET驱动器的场合采用插入式替换设计 在商用PFC评估板上测得的实验结果 门极驱动电压范围的减小，这是致命的弱点吗？;碳化硅开关器件的选择-优缺点对比;碳化硅开关管的选择-优缺点对比;在商用封装中的应用范围;带碳化硅P-N 结的单极性器件 开关速度高 易于并联 无双极性退化/门极氧化问题 高的击穿值/雪崩限制值 垂直导电沟道 高的沟道填充密度/高的电子迁移率（对C-轴） 由布局限制了门限电压 简单的自对准工艺-低成本 更多门极面积可延伸至漏极：Coss取决于密勒电容 ;碳化硅单极性功率开关管：结型晶体管 :600 V ~ 1200 V 4H-SiC E-mode Power VJFET;碳化硅VJ结型晶体管的选择;门极驱动电平移动;基极驱动的选取 ? RC的设计要求： –为减小Rds(on)， IDSS的值最大，选择VGS = +2.5V –在VGS = +2.5V 和VGG = 15 V情况下，电阻值的选取必须限制正向门极电流 –电容器的尺寸要大于Ciss ;“插入式”演示板的说明 ? 由Fairchild 公司半导体生产的FEB-109评估板 ? 300瓦离线式连续模式功率因数校正的开关模式电源 ? ML4821 功率因数校正控制器（平均电流模式） ? 100kHz;FEB-109 评估板的电路图;? PFC 演示板的参数: – VIN : 85 – 265 VAC – VOUT :400 V – POUT :300 W – fs : 100 kHz –主功率开关器件：600V / 34A的 IGBT –将原有电路中的续流二极管更换为碳化硅SBD-为了作对比分析 –精细功率分析仪（ Yokagawa PZ4000 ）-用于精确调节测定基准电路的系统效率;PFC电路的参考标准 ? 功率分析仪用于评估整个输入电压和负载范围的系统效率 ;在FEB-109评估板上所做的修改;采用碳化硅SBD和JFET 的演示板;采用EM碳化硅结型晶体管的工作波形;采用JFET的效率曲线 ? 在最低输入电压时的最大开关电流 ? 满载时最高效率 ? 在最低输入电压和最大功率时有1.25%的效率提升;EM碳化???结型晶体管和硅IGBT;旁路电容器的剩余电荷 ?由电平变化引起的负向“跳跃” ?为避免直通，dVDG/dt ≤ 24 V/ns ;结论 ? 请不要说“但是结型晶体管是常开型器件”他们不一定采用碳化硅。 ? 请询问生产碳化硅开关器件的厂家有关常关型 碳化硅结型晶体管事宜，如果他们不是，请查询哪种器件才是？ ? 在没有进行电路优化的COTS PFC AC-DC 演示板中用EM 碳化硅结型晶体管替换硅IGBT能够在最低输入电压时有1.25%的效率提升。 ? 若将COTS MOSFET/IGBT驱动电路用在EM JFET中，由于门极电压范围缩小了，为了保持高的dV/dt 这里提出了新的解决方法。