电子科大微电子工艺(第五章)光刻工艺精编版.pptVIP

当光刻胶下面的底层是反光的衬底（如金属和多晶），光线将从衬底反射并可能损害临近未曝光的光刻胶，这种反射现象会造成反射切入。在反光衬底上增加一层抗反射涂层（如TiN）可消除反射切入和驻波现象。 驻波与抗反射涂层 底部抗反射涂层(BARC) 顶部抗反射涂层(TARC) 5.4 光刻设备 按照曝光进行方式分为： 掩蔽式(shadow printing)：接触式(Contact)，接近式(Proximity) 投影式(projection printing)：扫描式(Scan)，步进式(Stepping)，步进-扫描式(Step and Scan) 按照工作波长分为： g-line(435 nm), i-line(365 nm), KrF(248nm), ArF(193nm), 和EUV(13.5nm) 一、光刻机分类 按照工作平台的个数分为： 单平台，双平台(ASML Twinscan)，串列平台(Nikon NSR-S610C) 按照一次曝光的区域(Exposure Field)大小分为：迷你(Mini)，全尺寸(Full Field, 26mm x 33mm) 按照缩小比例(Reduction Ratio)分为： 10倍，5倍，4倍，和1倍 1. 接触式光刻机 2. 接近式光刻机 3. 扫描投影光刻机 4. 分步重复光刻机 5. 步进扫描光刻