第07章 薄膜晶体管的结构与设计精编版.pptVIP

* 6PEP MoALMo源漏电极 MoALMo前清洗 →MoALMo溅射 →MoALMo后清洗 →涂胶 →曝光 →显影 →显影后检查 →MoALMo湿刻 →刻蚀后检查 →n+切断刻蚀 →刻蚀后检查 →去胶 * glass S/D cleaning 6PEP MoALMo源漏电极——清洗 MoALMo前清洗：主要是用刷洗，QDR水洗，LAL刻蚀， QDR水洗，超声清洗，IPA干燥。 LAL刻蚀：因为MoALMo溅射前，n+a-Si暴露于大气，和容易氧化形成氧化硅，所以要用LAL刻蚀去表面的氧化物， O3水处理：在表面再形成一层薄的氧化硅，但不同于n+a-Si前清洗的地方是在溅射中没有除去氧化物的刻蚀室，因为MoALMo是金属，金属离子的活性高，在热退火中很容易渗透，不会影响与n+a-Si的接触性能。 在工艺中，有时也不用O3水处理，不形成薄的氧化物，因为清洗后很快就进行溅射，即使表面形成一层自然的氧化硅，通过退火也不会影响器件的性能。 * glass S/D sputter 底Mo膜厚：275±50A；方块电阻：11.00±4.0Ω/□ 气体：Ar AL膜厚：3500±350A；方块电阻：80±10Ω/□ 气体：Ar 顶Mo膜厚：500±50A；方块电阻：4.4±0.9Ω/□ 气体：Ar 6PEP MoALMo源漏电极——MoAlMo溅射 相对反射率215%（仅AL，480