soi及其制备工艺精编版.pptVIP

* 概述 SIMOX BESOI Smart-cut Simbond SOI及其制备技术 * 概述 SOI (Silicon On Insulator),又称绝缘层上硅。一种新型结构的硅材料，通 过在体硅中加入一层绝缘层，而具有一些特殊的性质。被称为有望替代 体硅成为新一代的集成电路衬底材料。 SOI 绝 缘 层（埋氧层） 顶硅层 衬底 （a）典型 SOI CMOS横截面示意图 （b）SOI CMOS TEM (Transmission electron microscope)侧面图 * 概述 SOI的技术特点： 速度高----全耗尽SOI器件具有迁移率高、跨导大、寄生电容小等优点使SOI CMOS 具有极高的速度特性。 功耗低----全耗尽SOI器件具有陡直的亚阈值斜率，漏电流小，静态功耗小；结电容与连线电容均很小，动态功耗小。 集成密度高----SOI采用介质隔离，不需要制备体硅CMOS电路的阱等复杂隔离工艺，器件最小间隔仅取决于光刻和刻蚀技术的限制。 完全消除闩锁效应。 成本低----SOI技术除了衬底材料成本高于硅材料外，其他成本均低于体硅。SOI CMOS 的制造工艺比体硅至少少3块掩模板，减少13~20%的工序。 抗辐照特性好---全介质隔离结构，且具有极小的结面积，因此具有非常好的抗软失效，瞬时辐照和单粒子翻转能力。 …… SOI的技术存在的问题： 浮体效应----SOI MOS的体区处于浮空状态，器件内部碰撞电离产生的载流子无法从器件中排除，影响器件性能。（FD SOI、引入复合中心） 自加热效应----BOX热导率低 * 典型1mm CMOS工艺条件下体硅和SOI器件的寄生电容(pF/mm2) 电容类型 SOI(SIMOX) 体 硅 电容比(体硅/SOI) 栅 1.3 1.3 1 结与衬底 0.05 0.2～0.35 4～7 多晶硅与衬底 0.04 0.1 2.5 金属1与衬底 0.027 0.05 1.85 金属2与衬底 0.018 0.021 1.16 * 概述 SOI 的制备： SOI材料制造技术分类 多晶/非晶单晶化 硅单晶薄膜的沉积 熔融再结晶（ZMR） 固相外延（SPE） 束致再结晶---激光或电子束 区熔再结晶---石墨条加热或卤素灯 单晶衬底的隔离 氧离子注入形成SiO2埋层（SIMOX） BESOI、Smart-cut、SIMBOND工艺 多孔硅氧化隔离法（FIPOS） 选择外延横向生长法（ELO）(厚膜、抗辐射) 异质外延法（SOS（污染、透明、抗辐射）,SOZ,SOM等） * SIMOX 2.1 SIMOX工艺流程： SIMOX ( Separate by IMplant Oxygen ),又称注氧隔离技术。此方法有两个关键步骤：离子注 入和退火。在注入过程中，氧离子被注入圆片里，与硅发生反应形成二氧化硅沉淀物。然 而注入对圆片造成相当大的损坏，而二氧化硅沉淀物的均匀性也不好。随后进行的高温 退火能帮助修复圆片损坏层并使二氧化硅沉淀物的均匀性保持一致。这时圆片的质量得以 恢复而二氧化硅沉淀物所形成的埋层具有良好的绝缘性。 Si substrate O + 离子注入 SOI 材料 高温退火 * SIMOX 2. 过程参数影响 注入剂量：控制埋氧层的厚度，提高注入剂量，埋氧层增加同时顶硅层厚度减小。 注入能量：控制离子注入的射程，从而影响顶层硅厚度。另外研究表明，注入能量越 高注入粒子 分散程度越大，形成连续埋氧层所需剂量也越高。 退火温度：高温退火消除注入缺陷，消融顶层硅中氧沉淀，促使埋层形成。 退火气氛：惰性气氛通常加入少量氧，增加氧分压防止由于形成SiO而导致的表面缺失。 硅片温度：影响注入过程缺陷形成，低温容易导致顶层硅的非晶化。 SIMOX 需要高温离子注入和长时间高温离子退火，难以控制颗粒，低剂量乃至 超低剂量注入难以得到完整的埋层，氧离子注入容易形成重金属污染，不易得到 陡峭的界面，工艺成本限制，产品质量和稳定性方面无法取得更好的成果。 法国SOITEC、美国IBIS和IBM相继放弃了simox制备技术。 200mm和300mmSIMOX片只有日本S.E.H、SUMCO 少量供应。 * BESOI 3.1 BESOI（Bonding and Etch back SOI）键合和背面腐蚀工艺流程： 键合技术指将两个平整表面的硅片相互靠近，硅片间的范德瓦尔斯力使两个硅片紧密的结合在一起。键合技术形成的SOI材料的顶层硅膜来自于衬底硅膜，未经过SIMOX技术中的高温氧离子注入，所以顶层硅膜中的缺陷较少，其器件性能可以达到体