期末重点复习半导体材料福大.pptVIP

名词解释 1.精馏提纯：精馏提纯是利用混合液中各组分的沸点不同(挥发性的差异)来达到分离各组分的目的。它是在精馏塔中，上升的气相与下降的液相接触，通过热交换进行部分汽化和部分冷凝实现质量交换的过程，经过多次交换来达到几乎完全分离各组分的提纯方法。 2.分凝现象：将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时，杂质在结晶的固体和末结晶的液体中浓度是不同的，这种现象叫分凝现象(亦叫偏析现象)。 3.区熔提纯：区熔提纯就是利用分凝现象将物料局部熔化形成狭窄的熔区，并令其沿锭长从一端缓慢地移动到另一端，重复多次使杂质尽量被集中在尾部或头部，进而达到使中部材料被提纯的技术。 4.极限分布：经过多次区熔提纯后，杂质分布状态将达到一个相对稳定且不再改变的状态，把这种极限状态叫做极限分布或最终分布。 6.直拉法：又称乔赫拉尔斯基(Czochralski)法，简称CZ法。它是生长半导体单晶的主要方法。该法是在直拉单晶炉内，向盛有熔硅(锗)坩埚中，引入籽晶作为非均匀晶核，然后控制热场，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，单晶便在籽晶下按籽晶的方向长大 7.外延生长：外延生长就是在一定条件下，在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法。 8.外延层：由于所生长的单晶层是衬底晶格的延伸，所以所生长的材料层叫做外延层。 9.外延层的分类： 同质外延:如果外延层与衬底是同种材料，则称为同质外延;异质外延:如果衬底材料和外延层是不同种材料,则称为异质外延; 10.直接外延: 直接外延是用加热、电子轰击或外加电场等方法使生长的材料原子获得足够能量，直接迁移沉积在衬底表面上完成外延生长的方法，如真空淀积、溅射、升华等。 11.间接外延: 间接外延法是利用化学反应在衬底表面上沉积生长外延层，广义上称为化学气相淀积(chemical vapor deposition, CVD) 。 但CVD 所生长的薄膜不一定是单晶;因此严格地讲只有生长的薄膜是单晶的CVD才是外延生长。 12.半导体超晶格：半导体超晶格是由两种不同材料交替生长而成的多层异质结构晶体。 13.量子阱：当窄禁带材料、宽禁带材料这两种薄层材料的厚度和周期长度小于电子平均自由程时，整个电子系统进入了量子领域，产生量子尺寸效应。这时夹在两个垒层间的阱就是量子阱。 简答题、论述题 1.熔区长度的确定？P30 （1）二次区熔杂质分布公式，它所描述的是区熔开始时的情况，这时杂质集中现象不太明显，杂质分布曲线不太陡，杂质倒流现象几乎可以忽略。此时，K1的杂质被固相排出到熔区中，由于熔区长度l大，在大熔区中均匀后杂质浓度CL变化不大，Cs也不太增加，所以提纯效果好。 （2）当体系处于接近极限分布状态时；熔区l大，会造成杂质倒流严重。因为此时杂质分布己经很陡，熔区长度l大，必然会造成大范围的杂质倒流使CL大，Cs也大。这是不利于提高纯度的。 通过上面分析，得到了在实际区熔时，最初几次应该用大熔区，后几次用小熔区的工艺条件。 2.晶体生长的发展过程： 它主要包括：20 世纪20 年代柯塞尔(Kossel) 等人提出的完整晶体生长微观理论模型；40 年代弗兰克(Frank)发展了的缺陷晶体生长理论；50年代后伯顿(Burton)等人在晶体生长及其界面的平衡结构理论以及杰克逊(Jackson)平衡界面理论等方面的研究，使晶体生长从生长技术研究进入了微观理论定性与半定量的研究阶段。 3.硅外延生长动力学模型是什么？有何异同？p109 主要有两种，即气-固表面复相化学反应模型和气相均质反应模型 区别： 复相化学反应模型认为硅外延生长过程包括下列步骤: ①反应物气体混合向反应区输运。 ②反应物穿过边界层向衬底表面迁移。 ③反应物分子被吸附在高温衬底表面上。 ④在衬底表面发生化学反应，生成生长晶体的原子和气体副产物，原子在晶体表面移动到达衬底晶面的扭折处，进入晶格格点位置形成晶格点阵，实现晶体生长。 ⑤副产物气体从表面脱附并穿过边界层向主气流中扩散。 ⑥气体副产物和末反应的反应物，离开反应区被排出系统。 均质反应模型认为，外延生长反应不是在固-气界面上，而是在距衬底表面儿微米的空间中发生的。反应生成的原子或原子团再转移到衬底表面上完成晶体生长。在反应物浓度很大，温度较高时有可能在气相中成核并长大。例如，高浓度SiH4高温热分解时就能观察到这种现象。 相同： 不论是复相反应还是均质反应，都认为反应物或反应生成物总要通过体系中的边界层而达到衬底表面的，且在理论上和实验上都证明了边界层的存在。 4.GaP是间接跃迁型材料，为什么发光效率高？ 因为某些杂质在GaP中可形成发光的辐射复合中心，使GaP中的间接跃迁向直接跃迁转化的缘故。 例如GaP中掺入氮时，氮原子取