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项目二　半导体三极管认知及应用 任务一、半导体三极管的认知 二、电流放大作用 三、三极管的特性曲线 五、简易测试 一、三极管的基本连接方式 二、共射基本放大电路 4、放大电路的分析 任务3　分压式偏置电路及其它电路的学习 二、共集电极放大电路 * 　 　 　 　 * 　 　 　 　 * 　 　 　 　 * 　 　 　 　 电子组 高湘锋 　 常采用金属、玻璃或塑料封装。外形如图。 1、外形及封装形式 又称晶体三极管，简称晶体管。 一、半导体三极管的基本知识 2、结构及符号 三极：发射极 E、基极 B、集电极 C。 三区：发射区、基区、集电区。 箭头方向表示发射结正向电流的方向。 两结：发射结（Je)、集电结(Jc)。 结构特点： ①发射区掺杂浓度较 高，体积较小。 ②集电区掺杂浓度较 低，体积较大。 ③基区很薄，掺杂浓 度最低。 按导体类型不同：NPN 型和 PNP 型 按工作时消耗的功率不同：小功率管和大功率管 按工作频率不同：低频管和高频管 按管芯所用半导体材料不同：锗管和硅管 按工艺特点不同：合金管和平面管 按用途不同：放大管和开关管 3、分类 1、各电极上的电流分配 实验电路如图： 2.96 2.37 1.77 1.16 0.057 0.01 IE/mA 2.91 2.33 1.74 1.14 0.056 0.01 IC/mA 0.05 0.04 0.03 0.02 0.001 0 IB/mA IE = IB + IC 发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。 结论： 电流分配规律： 节点电流定律： 流入管子的电流之和等 于流出管子的电流之和。 2、电流放大作用 交流电流放大系数β= 　　从实验表数据可以看出，当基极电流 IB 由 0.03 mA 变到 0.04 mA 时，集电极电流 IC 由 1.74 mA 变到 2.33 mA 。上面两个变化量之比为： 电流放大作用： 　　基极电流的微小变化控制了集电极电流的较大的变化。 注意： 　　（1）三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号去控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用，而不是能量的放大。 （2）三极管的放大作用，需要一定的外部条件： 发射结正偏，集电结反偏。 指在UCE一定时，放大电路输入端基极电流IB和基—射极电压 UBE的关系曲线。如图： 1、输入特性曲线 测试电路如图 特点： （1）当UCE=0V时，输入特性曲线与二极管伏安特性曲线形状相似；当 UCE1 V时，特性曲线向右移动一段距离。 （2）存在一段死区 IB=0，处于截止状态 （3）三极管正常工作时， 可认为UBE 是定值。 正向管压降 ? í ì = UBE 约为0.3 V （Ge） 约为 0.7 V （Si） 死电 区压： ? í ì = (Si） V 0.2 V 5 . 0 UBE (Ge） 当基极电流IB为某一定值时，输出端集电极电流 IC与集—射极电压UCE间的关系曲线。 2、输出特性曲线 测试电路如图 输出特性曲线如图： （1）截止区 区域： IB=以下的区域。 发射结、集电极结均处于零偏或反偏状态。 （3）放大区　 （2）饱和区 发射结和集电结均为正向偏置。 管子失去放大作用，出现饱和现象，存在饱和压降UCES，硅管约 0.3 V，锗管约为 0.1 V；此时相当于开关的“闭合”。 IB = 0，IC≈0，只有很小的 ICEO ，相当于开关的“断开”，无电流放大作用。 条件： 特点： UCE1V时,IC随UCE增大接近直线上升部分的左侧。 区域： 条件： 特点： 区域： 介于截止区和饱和区之间的区域。 　发射结正向偏置，集电结反向偏置。 条件： 四、主要参数： （3）集—射反向穿透电流 ICEO：越小越好。 （2） 集—基反向饱和电流 ICBO：越小越好。 （1）交流电流放大系数β： （1）直流电流放大系数 ： 特点： 　IC 受 IB 控制 ，即 IC = ?IB ，为受控特性；在放大状态，当 IB一定时，IC不随 UCE 变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。 结论： 三极管具有“放大”和“开关”功能。 直流参数： 交流参数 （2）共发射极特征频率fT： β=1 极限参数 β≈ ①集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO ②集电极最大允许电流ICM ③集电极最大允许耗散功率 PCM 决定安全 工作范围 将万用表拨到欧姆挡R×100Ω或R×1KΩ挡，用黑表笔接假设基极，红表笔分别接其他两极，若两次阻值均很小，则假设正确，与黑表笔所接为NPN型三极管的基极；若阻值一大一小，则假设错误，应把黑表笔所接电极调换一个，再按上述方法测试. 确定基极后，假定其余两电极中一个是集电极，用黑表笔接此电极，红表笔接假定发射极，用