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BSIM3v3.22 手册 BSIM3v3.22 使用手册 目 录 第一章 简介 3 1.1 总说明4 1.2 手册的组织4 第二章 基于物理的I-V模型的推导 6 2.1 非均匀掺杂和小沟道效应对阈值电压的影响6 2.2 迁移率模型13 2.3 载流子漂移速度15 2.4 体电荷效应15 2.5 强反型漏极电流（线性区）16 2.6 强反型电流与输出电阻（饱和区）17 2.7 亚阈漏极电流21 2.8 有效沟道长度与沟道宽度22 2.9 多晶耗尽效应23 第三章 统一的I-V模型 26 3.1 统一的沟道电荷密度表达式26 3.2 统一的迁移率表达式28 3.3 统一的线性电流表达式29 3.4 统一的Vdsat表达式30 3.5 统一的饱和电流表达式30 3.6 适用于所有Vgs和Vds工作区的单一电流表达式31 3.7 衬底电流32