LDMOS的可靠性研究...pptx

LDMOS的可靠性研究;研究内容;高可靠性P_LDMOS研究;P-LDMOS的纵向剖视图;1、 沟道下的电场分析;关闭态下，界面处存在两个电场峰值。第一个峰值在沟道左端,沟道与漂移区形成的p-n结处;第二个峰值在漂移区的场板端点正下方. 关闭态下，沟道下的电场峰值远小于漂移区峰值。因此，沟道不会先于漂移区击穿。;（2）开启态;开启态下，整个表面电场由两个U形曲线连接而成,第一个U形曲线在沟道区,第二个U形曲线在漂移区.第二个U形曲线是由漂移区两边的两个结形成,该U形曲线两个峰值的大小由漂移区浓度决定。 ;LDMOS的漂移区与沟道交界处,即开启态第二个峰值位置,由于两次扩散的杂质高度补偿形成性能非常差的高阻区,再加上此处电场强度较高,很容易产生热载流子,对栅进行轰击,增大栅的漏电流,从而影响器件稳定性与可靠性. 研究发现,产生热载流子效应的很大一部分原因是沟道靠近??端的热载流子注入引起.因此降低热载流子效应,提高器件可靠性,必须降低开启态下第一个U型曲线的两个峰值. ;2、沟道下电场峰值改进方法;随着沟道长度的变大,第一个峰值大小几乎没有变化,而第二个峰值逐渐变小. 由于沟道变长,一方面,相同的电压加在较长的长度上,得到的必然是较小的电场强度;另一方面,防串通n阱与漂移区的p阱两次注入的窗口间的距离增加,使得np-结补偿杂质浓度降低,从而减小此区域的电阻.以上两个原因使第二个峰值电场变小. 第一个峰值电场,由于改变沟道长度对p+n结浓度没有影响,因此第一个峰值几乎没有变化. ;（2）沟道浓度的影响（沟道较长情况下） ;随着n阱浓度的变大,第一个峰值电场逐渐变大,而第二个峰值电场变化不是很明显. 原因在于,p+n结的n侧浓度降低,结处的峰值电场必然降低;沟道较长时,np-结左侧磷的浓度已经降到了一个比较小的值,此时再降低沟道浓度,峰值电场几乎不会变化,因此第二个峰值电场变化不明显. ;（3）栅场板长度的影响;随着场板的变短,第一个峰值大小几乎没有变化,第二个峰值则有变化. 场板较长时,第二个峰值几乎不随场板变化;场板较短时,第二个峰值随场板的减短急剧减小.开态时,场板具有缓解其下方电场强度的作用,越靠近场板端点???,缓解能力越强.场板较长时,场板端点离第二个峰值电场较远,随场板长度的变化,峰值电场变化不明显;场板较短时,场板端点在第二个峰值电场的正上方,此处的电场得到较大的缓解,从而使场强减小. ;利用场板变短来降低沟道峰值电场,往往会使器件关闭态的耐压降低,开态导通电阻增加,因而不可取。 为了使漂移区具有最优的耐压,漂移区浓度应该满足RESURF技术,即此时第二个U型曲线的两个峰值电场基本相等。 ;3、提高可靠性设计原则;LDMOS的可靠性和温度特性研究;针对LDMOS的可靠性问题,首先研究影响高压LDMOS可靠性的击穿特性;对于功率器件来说,LDMOS的功耗大小以及功耗的分布情况对器件性能也有重要的影响。 功耗增大使器件发热量增加,温度上升,导致器件的可靠性变差。 ;1、LDMOS 击穿电压分析;1.1有场极板的LDMOS的击穿电压原理;在场极板有限的情况下，漏极的高压被氧化层电容分压，减小了漂移区A处的击穿电压。 根据数值分析结果指出,有限尺寸场极板的边界效应等效一个平面PN结的击穿电压。因此可以将无限大场MOS电容器和这个等效pn结的击穿电压相比较,两者之中较小的击穿电压,就是外加场极板的击穿电压。 ;1.2、有限场极板的情况;由于LDMOS场极板是有限极板,而不是无穷大??极板,因此击穿电压到底是多大,应当判断LDMOS是在场极板内部先击穿还是在场极板边界处先击穿，所以击穿电压由最小值决定的，即 ;式中Ec取最大的击穿场强，整理得具有场极板的高压LDMOS的击穿电压为：;通过模拟发现,LDMOS承受漏源电压主要是场极板下面的场极板部分,增加场极板的长度会使漂移区的电势、电场分布发生变化,使承受漏源电压的部分变长,降低了最高电场,提高了击穿电压,同时增加场极板对电阻几乎没有多少影响,因而对器件的作用被削弱,缓和了击穿电压与导通电阻的矛盾。 场极板技术只能通过藕合作用减小漂移区的有效电荷,进而提高耐压,但是对漂移区积分电荷没有大的影响。 ;利用nLDMOS和pLDMOS构成带有负载电容的CMOS反相器，可得电路的功率增益为： 从式中可得，减小工作频率可以提高功率增益。 从LDMOS的结构和电学参数来考虑,要降低功耗应当尽量减小式中的（Bn+Bp）。 ;降低电路功耗的一个有效方法是将一个比较宽的LDMOS分成许多比较窄的单元并联,总的宽度保持不变。这时管子的输出非线性电阻并联在一起,其等效的Bn和Bp减小,从而减小了LDMOS的功耗。 因此在不改变LOMOS任何参数的情况下,这种方法可以降低电路的功耗。 ;3、LDM