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第43 卷第11 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 43 ，No. 11
2 0 1 5 年 1 1 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY November ，2015
DOI ：10.14062/j.issn.0454-5648.2015.11.09
Cr 和Mo 掺杂对WS2 晶体能带结构的影响
1 2 3 3
，
张 芳 ，李 伟 ，戴宪起
(1. 平顶山学院电气信息工程学院，河南 平顶山 467000 ；
2. 河南城建学院数理学院，河南 平顶山 467036 ；
3. 河南师范大学物理与电子工程学院，河南 新乡453007)
摘 要：基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，研究了单层二硫化钨(WS2)在掺杂Cr 和Mo 后能带结构的变化，
探索不同原子和掺杂量对能带结构的影响，分析了导致能带结构变化的物理机理。计算结果表明：当掺杂量较高时，Mo 对
单层WS2 的能带结构几乎没有影响，而Cr 则影响很大，表现为Cr 掺杂时能带结构由直接带隙变为间接带隙，且带隙宽度随
着掺杂量的增加而逐渐减小。Cr 掺杂后所产生的应力是导致能带结构发生变化的直接原因。通过对态密度和电荷密度的分析，
揭示了能带变化的根本原因在于Brillouin 区中Γ点和K 点的本征能量对掺杂所产生的应力的敏感程度不同。
关键词：第一性原理；掺杂；能带结构；二硫化钨；铬；钼
中图分类号：O471.5 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2015)11–1573–07
网络出版时间：2015–10–13 01:31:00 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ1331.023.html
Effect of Cr- and Mo-doping on Band Structure of WS Crystal
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ZHANG Fang1, LI Wei2,3, DAI Xianqi3
(1. College of Electric and Information Engineering, Pingdingshan University, Pingdingshan 467000, Henan, China;
2. School of Mathematics Physics, Henan University of Urban Construction, Pingdingshan 467036, Henan, China;
3. College of Physics and Electronic Engineering, Henan Normal University, Xinxiang 453007, Henan, China)
Abstract: The band structure of monolayer WS2 after doping Cr and Mo was investigated according to an ab initio method of plane
wave potential technique based on t
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