背接触硅太阳电池研究进展.pptVIP

;摘要;一、背接触硅太阳电池及其分类;二、种背接触硅太阳电池简介;1.lBC太阳电池（图1）：电池选用n型衬底材料，前后表面均覆盖一层热氧化膜，以降低表面复合。利用光刻技术，在电池背面分别进行磷、硼局部扩散，形成又指状交叉排列的P区、n区，以及位于其上方的P+区、n+区。重扩形成的P+和n+区可有效消除高聚光条件下的电压饱和效应。此外，P+和n+区接触电极的覆盖面积几乎达到了背表面的1／2，大大降低了串联电阻。IBC电池的核心问题是如何在电池背面制备出质量???好、呈叉指状间隔排列的P区和n区。为避免光刻工艺所带来的复杂操作，可在电池背面印刷一层含硼的叉指状扩散掩蔽层，掩蔽层上的硼经扩散后进入n型衬底形成n十区，而未印刷掩膜层的区域，经磷扩散后形成P+区。通过丝网印刷技术来确定背面扩散区域成为目前 研究的热点。;;2 .PCC太阳电池（图2）:A-300电池采用n型硅材料作为衬底，载流子寿命在lms以上。正表面没有任何电极遮挡，并通过金字塔结构及减反射膜来提高电池的陷光效应L6]。电池前后表面利用热氧钝化技术生成一层Si02钝化层，降低了表面复合并增加了长波响应，从而使开路电压得以提高。在前表面的钝化层下又进行了浅磷扩散以形成n+前表面场，提高短波响应。背面电极与硅片之间通过Si02钝化层中的接触孔实现了点接触，减少了金属电极与硅片的接触面积，进一步降低了载流子在电极表面的复合速率，提高了开路电压。较为出色的陷光、钝化效果，以及采用了可批量生产的丝印技术，使A-300成为新一代高效背接触硅太阳电池的典型代表。;3 .RISE太阳电池（图3）：电池以P型FZ-Si作为衬底，正面制作随机金字塔绒面，并通过PECVD沉积双层SiM薄膜，以起到减反射和表面钝化作用。电池背面利用局部激光烧蚀技术，烧蚀成高低不同、呈叉指状交叉排列的两片区域。这种台阶结构成为RISE电池最大的结构特点。背面经磷扩散后，台阶的底面及侧面区域形成电池的发射区。台阶的顶面区域因siQ薄膜阻挡了磷的扩散，成为电池的基区。随后，在电池背面蒸铝，并采用湿化学腐蚀法除掉沉积在基区与发射区衔接区域的铝浆，以实现发射区电极与基区电极的分离。最后，利用LFC技术穿透Si02薄膜制作基区导电接点。RISE电池利用一层超薄的隧道氧化物形成高质量的AI／Siq／n+电池Si接触。这些独特的结构设计，使电池效率达到19．5％(4crnz)。为了进一步降低基极接触区的复合速率，在其他区域保持不变的情况下，用局部硼扩散制作的硼背场(B-BSF)替换LFC制作的铝背场(AI-BSF)，提高了短路电流，使效率提升到21．5％。由于背面电极是通过单步铝蒸发制作而成，因此，如何很好地分离基区电极和发射区电极，成为制作RISE电池的一项技术难题。该研究所开创的自对齐接触分离法成功地解决了这一问题，并经试验证实，此方法同样适用于大面积RISE电池的制作。;前??电池：前结电池的p-n结位于电池正表面，可以有效收集载流子，降低对衬底材料的要求。前结电池的关键在于如何实现正面p-n结与背面接触电极的连接。电池结构不同，其连接方式也不相同。;4.MWT太阳电池（图5）：采用激光技术在细栅上作出这些导电孔，然后在孔内进行扩散及金属化，使其能导通到背面的主栅上。在主栅的电极接触区重扩形成选择性发射极结构，而在基区电极接触区制作铝背场。MWT电池同样需要考虑背面电极的理想绝缘问题。正面栅线电极及背面接触电极既可采用丝网印刷技术制作，又可采用激光刻槽埋栅电极(LGBG)及化学镀技术制作。采用LGBG技术制作的MWT电池，效率已达到17．2％(Cz-Si)。Konstanz大学利用化学镀技术，在大面积(140cm2)Cz-Si衬底上成功地制作出效率为17％的MWT电池。;5.EWT太阳电池（图6）：EwT电池完全去除了正表面的栅线电极，依靠电池中的无数导电小孔来收集载流子，并传递到背面的发射区电极上。导电孔的制作，早期主要采用光刻和湿法化学腐蚀法，目前最常用的是激光钻孔。孔内进行重磷扩散以降低接触电阻及接触复合。电池背面是间隔排列的P型电极凹槽和n型电极凹槽。分别在13．型电极凹槽和P型电极凹槽内进行磷硼扩散以降低接触复合。FraunhoferISE采用Si02钝化及光刻技术，在FZ-Si衬底上制作出效率为21．4％的EwT电池(6cm2)，成为EwT电池的最高效率保持者[1引。Konstanz大学采用丝网印刷技术，在Cz-Si衬底上制作出低成本大面积EwT电池，效率为15．8孵”]。美国Advent Solar公司采用双面收集结结构，并利用激光钻孔及丝网印刷技术，批量生产低成本、大面积(156cmz)的EWT电池，效率均在15％以．;6.POWER-EWT太阳电池（图7