材料科学期末复习题剖析.pptVIP

要点 Ⅰ.Crystal structure is the real arrangement of atom in crystals Crystal structure ＝ Space lattice + Basis or structure unit Packing fraction ＝ To determineξ, The atom is looked as a hard sphere, and the nearest neighbours touch each other. ∴ For BCC, HCP IIII Determination of the sizes of  interstitials Definition: By size of an interstitial we mean diameter of the maximum hard sphere which can be accommodated in the interstitial without distorting the lattice. Octahedral interstitial condition for touching For BCC For FCC Tetrahedral interstitial For BCC Summary 金刚石为碳的一种晶体结构，其晶格常数a=0.357nm，当它转换成石墨( =2.25g/cm3)结构时，求其体积改变百分数？ 解：金刚石的晶体结构为复杂的面心立方结构，每个晶胞共含有8个碳原子。 金刚石的密度 (g/cm3) 对于1g碳，当它为金刚石结构时的体积 (cm3) 当它为石墨结构时的体积 (cm3) 故由金刚石转变为石墨结构时其体积膨胀 铯与氯的离子半径分别为0.167nm，0.181nm,试问a)在氯化铯内离子在100或111方向是否相接触？b)每个单位晶胞内有几个离子？c)各离子的配位数是多少？d) ρ和K？ 解答： CsCl型结构系离子晶体结构中最简单一种，属立方晶系，简单立方点阵。 离子半径之比为0.167/0.181=0.92265，其晶体结构如图所示。从图中可知，在111 方向离子相接处，100方向不接触。每个晶胞有一个Cs+和一个Cl-，的配位数均为8。 第二章 晶体缺陷 1、基本概念 结构缺陷、点缺陷、线缺陷、面缺陷、固溶体（置换型和间隙型固溶体）、非化学计量缺陷、色心； 2、晶体结构缺陷的分类； 3、掌握热缺陷的两种基本类型及特点；掌握点缺陷的符号表示；掌握缺陷反应方程式的写法，会利用化学平衡方法计算缺陷浓度； 4、位错的两种基本类型，各自有何特点，柏格斯矢量的物理意义；位错的两种运动及特征，位错的增殖（F-R) 5、关于位错的应力场、位错的应变能、线张力等可作为一般了解。 6、位错交互作用、位错反应的条件；位错与点缺陷交互作用，材料的时效硬化。 第二章 晶体缺陷 6、面缺陷概念及主要类型；小角度晶界的位错模型；相界的概念；表面、界面的概念。 7、细晶强化机制；材料主要强化方式。 8、固溶体的分类及影响置换型和间隙型固溶体形成的因素，固溶体类型的判别，简单分析形成固溶体后对晶体性质的影响。 9、非化学计量化合物的特点，能够解释为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料。 解答： (1)AB右螺（平行） CD左螺（反平行） BC 正刃（位错线垂直柏矢，符合右手法则） DA 负刃（位错线垂直柏矢，不符合右手法则） (2)设想在完整晶体中有一个贯穿晶体的上、下表面的正四棱柱，它和滑移面交与ABCDA，让 ABCDA上部柱体相对于下部柱体滑移b，柱体外各部分不滑移。这样在已滑移区与未滑移区间形成柏矢为b的的位错环ABCDA (3)位错环扩张； (4)BC段向下攀移，DA段向上攀移。 2 如图所示，若在切压力?的作用下，位错环发生收缩。要使该位错环在晶体中稳定不动，其最小半径应该是多大？ 3. 比较MgO 、TiO2 、萤石、沸石结构说明形成填隙固溶体固溶度的大小。 在面心立方结构中，例如MgO中，氧八面体间隙都已被Mg离子占满，只有氧四面体间隙是空的。在TiO2中，有二分之一的八面体空隙是空的。在萤石结构中，氟离子作简单立方排列，而正离子Ca2+只占据了有立方体空隙的一半，在晶胞中有一个较大的间隙位置。在沸石之类的具有网状结构的硅酸盐结构中，间隙就更大，具有隧道型空隙。 因此，对于同样的外来杂质原子，可以预