电子信息物理学理论.ppt

真空能级E 0连续（一般性） 电子亲和势始终不变х ＝ E 0 － E C （一般性） 费米能级的“钉扎”效应： n型费米能级：价带以上E g/3（特殊性） p型费米能级：价带以上2E g/3（特殊性） 4.4.3 肖特基势垒的I-V特性 金属与n型半导体接触 正向偏压产生电流，载流子构成如下 导带电子越过势垒进入金属 导带电子通过隧道效应进入金属（能量低于势垒顶的电子有一定几率穿过势垒，这种效应就是隧道效应。隧道穿透的几率与电子的能量和势垒厚度有关 ） 空间电荷区与空穴复合 中性区与空穴复合 实际的肖特基二极管主要由第一种电流构成的，其他的三种作为理想情况偏离的修正 （a）无偏压：热平衡时，金属与 n型半导体的费米能级拉平 （b）加正偏压： 正向偏压VF VF上升 半导体一侧势垒下降 正向电流密度上升 （c）加反偏压： 反向偏压－VR VR上升 半导体一侧势垒增加，电子从金属流向半导体，但越过的势垒几乎不随偏压变化 反向饱和电流密度 反向电流密度几乎不随VR变化 4.4.4 肖特基势垒二极管 肖特基势垒二极管与Pn结二极管的I-V特性相似： Pn结二极管方程： Pn结的反向饱和电流密度： 肖特基势垒二极管方程 肖特基的反向饱和电流密度 为有效理查常数