压电式传感器-精品课程——传感器与检测技术.doc

第7章 霍尔传感器 霍尔传感器是利用半导体材料的霍尔效应进行测量的一种传感器。它可以直接测量磁场及微位移量，也可以间接测量液位、压力等工业生产过程参数。本章在介绍霍尔元件的基本工作原理、结构和主要技术指标的基础上，讨论测量电路及温度补偿方法；最后介绍霍尔传感器的应用。 7.1 霍尔元件工作原理 霍尔元件是霍尔传感器的敏感元件和转换元件，它是利用某些半导体材料的霍尔效应原理制成的。所谓霍尔效应是指置于磁场中的导体或半导体中通入电流时，若电流与磁场垂直，则在与磁场和电流都垂直的方向上出现一个电势差。 图7.1 霍尔效应原理图 图7.1所示为一个N型半导体薄片。长、宽、厚分别为L、l、d，在垂直于该半导体薄片平面的方向上，施加磁感应强度为B的磁场。在其长度方向的两个面上做两个金属电极，称为控制电极，并外加一电压U，则在长度方向就有电流I流动。而自由电子与电流的运动方向相反。在磁场中自由电子将受到洛仑兹力FL的作用，受力的方向可由左手定则判定，即使磁力线穿过左手掌心，四指方向为电流方向，则拇指方向就是多数载流子所受洛仑兹力的方向。在洛仑兹力的作用下，电子向一侧偏转，使该侧形成负电荷的积累，另一侧则形成正电荷的积累。所以在半导体薄片的宽度方向形成了电场，该电场对自由电子产生电场力FE，该电场力FE对电子的作用力与洛仑兹力的方向相反，即阻止自由电子的继续偏转。当电场力与洛仑兹力相等时，自由