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本科生期末考试试卷及参考答案考试科目： 半导体物理 考试时间：2007 年6 月专业 级 班 主讲教师--------------姓名学号 毛题号一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分得分一、（每小题6 分，共30 分）名词解释：1、迁移率参考答案：单位电场作用下，载流子获得的平均定向运动速度，反映了载流子在电场作用下的输运能力，是半导体物理中重要的概念和参数之一。迁移率的表达式为：qmτμ ? = 。可见，有效质量和弛豫时间（散射）是影响迁移率的因素。2、过剩载流子参考答案：在非平衡状态下，载流子的分布函数和浓度将与热平衡时的情形不同。非平衡状态下的载流子称为非平衡载流子。将非平衡载流子浓度超过热平衡时浓度的部分，称为过剩载流子。非平衡过剩载流子浓度：Δn = n ? n0， 0 Δp = p ? p ，且满足电中性条件：Δn = Δp。可以产生过剩载流子的外界影响包括光照（光注入）、外加电压（电注入）等。对于注入情形，通过光照或外加电压（如碰撞电离）产生过剩载流子：npni2，对于抽取情形，通过外加电压使得载流子浓度减小：np ni2。3、简并半导体参考答案：对于重掺杂半导体，费米能级接近或进入导带或价带，导带/价带中的载流子浓度很高，泡利不相容原理起作用，电子和空穴分布不再满足玻耳兹曼分布，需要采用费米分布