光致发光(PL)光谱.pptx

光致发光（PL）光谱;一、光致发光基本原理;2. 基本原理：由于半导体材料对能量高于其吸收限的光子有很强的吸收，吸收系数通常超过104cm-1，因此在材料表面约1μm厚的表层内，由本征吸收产生了大量的额外电子-空穴对，使样品处于非平衡态。这些额外载流子对一边向体内扩散，一边通过各种可能的复合机构复合。其中，有的复合过程只发射声子，有的复合过程只发射光子或既发射光子也发射声子;; 在这个过程中，有六种不同的复合机构会发射光子，它们是： （1）自由载流子复合 —— 导带底电子与价带顶空穴的复合； （2）自由激子复合 —— 晶体中原子的中性激发态被称为激子，激子复合也就是原子从中性激发态向基态的跃迁，而自由激子指的是可以在晶体中自由运动的激子，这种运动显然不传输电荷； （3）束缚激子复合 —— 指被施主、受主或其他陷阱中心(带电的或不带电的)束缚住的激子的辐射复合，其发光强度随着杂质或缺陷中心的增加而增加；;（4）浅能级与本征带间的载流子复合——即导带电子通过浅施主能级与价带空穴的复合，或价带空穴通过浅受主能级与导带电子的复合； （5）施主-受主对复合——专指被施主-受主杂质对束缚着的电子-空穴对的复合，因而亦称为施主-受主对(D-A对)复合； （6）电子-空穴对通过深能级的复合——即SHR复合，指导带底电子和价带顶空穴通过深能级的复合，这种过程中的辐射复合几率很小。 ; 在上述辐射复合机构中，前两种属于本征机构，后面几种则属于非本征机构。由此可见，半导体的光致发光过程蕴含着材料结构与组份的丰富信息，是多种复杂物理过程的综合反映，因而利用光致发光光谱可以获得被研究材料的多种本质信息。;二、仪器及测试;图2 光致发光光谱测量装置示意图;三、光致发光特点;它的原始数据与主要感兴趣的物理现象之间离得比较远，以至于经常需要进行大量的分析，才能通过从样品外部观测到的发光来推出内部的符合速率。 光致发光测量的结果经常用于相对的比较，因此只能用于定性的研究方面。 测量中经常需要液氦低温条件也是一种苛刻的要求。 对于深陷阱一类不发光的中心，发光方法显然是无能为力的。;四、光致发光分析方法的应用; 4、辐射效率的比较 半导体发光和激光器件要求材料具有良好的发光性能，发光测量正是直接反映了材料的发光特性。通过光致发光光谱的测定不仅可以求得各个发光带的强度，而且也可以的到积分的辐射强度。在相同的测量条件下，不同的样品间可以求得相对的辐射效率。 5、 GaAs材料补偿度的测定 补偿度NA/ND（ND，NA分别为施主、受主杂质浓度）是表征材料纯度的重要特征参数。 6、少数载流子寿命的测定 ;7、均匀性的研究 测量方法是用一个激光微探针扫描样品，根据样品的某一个特征发光带的强度变化，直接显示样品的不均匀图像。 8、位错等缺陷的研究;图3 CZT晶体在4.2K下典型的PL谱。该PL谱包括四个区域：（1）近带边区；（2）施主－受主对（DAP）区；（3）受主中心引起的中心位于1.4eV的缺陷发光带；（4）Te空位引起的中心位于1.1eV的发光峰带。;图4 高质量CZT晶体PL谱的近带边区; 该PL谱的主峰为中性施主的束缚激子峰（D0, X）。而CdTe和Cd0.96Zn0.04Te在该区域内的主发光峰则通常为受主－束缚激子峰（A0,X）。在Cd0.9Zn0.1Te晶体的近带边区的PL谱除此之外，还可以看到基态自由激子峰（X1）、上偏振带峰（Xup）以及第一激发态自由激子峰（X2）。对于质量较差的CZT晶体，无法看到其自由激子峰（X1）和一次激发态自由激子峰（X2）。低温PL谱可以用来比较全面的评价CZT晶体的质量，并由此来推断晶体的探测性能。