电浆化学沉积制程能力.ppt

8吋前段電漿輔助化學氣相沉積系統簡介(Front-end PECVD) 主要建置最大可沈積至8吋晶圓之前段SiH4 base SiOx薄膜及 SiH4 base SiNx薄膜其相關製程能力資料如下: 沉積速率： SiOx沈積速率,大於 400 nm/min。 SiNx沈積速率,大於 150 nm/min。 U%檢驗：SiOx/SiNx 小於 5 %。 介電常數：SiOx需介於3.9~4.2。 SiNx需介於7.0~9.0。 折射率(Refractive Index): SiOx薄膜 @635nm 1.465 +/- 0.015。 SiNx薄膜 @635nm 2.02 +/- 0.03。 (Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Co)金屬元素小於 50E10 atoms/cm2。 公司 ：APPLIED MATERIALS 型號 ： APPLIED MATERIALS CENTURA SYSTEM 5200 使用年齡：2.5年(10年) 製程模式：電漿化學沉積 製程能力：OX 沉積數率: 150A/SEC NIT 沉積數率: 160A/SEC