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一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-01 发布于四川
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一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法.pdf

    本发明公开了一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，属于半导体加工领域，步骤包括，以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅衬底上生长低速低碳硅比缓冲层；保持硅源流量不变，使碳源流量按关于时间的S型曲线增大达到第二碳源流量，期间形成碳硅比过渡层；以第一硅源流量和第二碳源流量生长低速高碳硅比缓冲层；从第一硅源流量增大过渡至第二硅源流量，且同时从第二碳源流量增大过渡至第三碳源流量，期间保持碳硅比不变，形成源流量过渡层；以第二硅源流量和第三碳源流量生长出高速外延层。该方法将碳硅比变化过程和生长速率变化过程

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116190217 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202310419902.8 (22)申请日 2023.04.19 (71)申请人 季华实验室

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