仪表电子乙级技能检定.docVIP

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儀表乙級模擬考測驗卷 ( I ) 座號: 姓名: 4- PAGE 4 一、是非題: 1 ( ) 資料匯流排為雙向,而位址匯排與控制匯流排為單向。 O 2 ( ) DMAC(Direct Memory Access Controller)的IC編號是8237。 O 3 ( ) 單晶片微電腦如同個人電腦一樣,可任意將程式儲存於ROM或RAM中。 X 4 ( ) 電腦快取動作,是將常用的程式由DRAM多拷貝一份到SRAM內,如此可加快執行速度。 O 5 ( ) 步進馬達是由閉迴路控制,且每次轉動角度皆一定。 X 6 ( ) 連續漸進式之A/D轉換器,是由比較器,上/下計數器及一個D/A轉換器來完成。 O 7 ( ) 近接開關是屬於位置感測器,常用的近接開關之專用IC為TCA305。 O 8 ( ) 當對熱敏電阻做非線性修正使其特性趨於線性化後會降低其靈敏度o X 9 ( ) 在SCR控制電路中,若觸發角度愈大時,則表示負載消耗功率愈小。 O 10 ( ) P通道增強型MOSFET工作時,閘源極偏壓必須加負電壓,而洩源極間需加負電壓。 O 11 ( ) OPA之CMRR比值愈大則愈能排斥不同極性之輸入雜訊。 X 12 ( ) 差動放大器的輸入阻抗約為hie。 X 13 ( ) 韋恩電橋振盪,若R=R1=R2,C=C1=C2振盪頻率為1/2πRC。 O 14 ( ) 樞密特電路不需任何I/P及觸發,可得一連串方波O/P。 X 15 ( ) 丙類放大器是工作在小於180° 的輸入信號週期裡,大部分用在通訊調諧電路中。 O 16 ( ) 一放大器加入負回授後,其放大倍數為原來之。 O 17 ( ) 小訊號h參數等效電路輸入採用諾頓等效電路,輸出則採用戴維寧等效電路。 X 18 ( ) 將硼元素加入矽晶體內,則為P型半導體,其主要載子為電洞,且其電洞濃度隨溫度的升高而增加。 O 19 ( ) 矽二極體兩端的順向偏壓會隨溫度上昇而下降,變化情形是-2.5mV/℃。 O 20 ( ) 在檢修過程中,若在非樞密特標準TTL IC的輸入端量測電壓為1V,表示輸入準位為低準位。 X 21 ( ) 可程式陣列邏輯(programmable array logic,PAL)在沒有回授的情形下,其輸出的延遲時間視其所實現的邏輯功能複雜度而定。 O 22 ( ) I/O位址解碼可用邏輯閘來組成,也可用解碼器或PLA來完成。 O 23 ( ) 加法器採用前瞻進位法(look-ahead carry method)的設計旨在增加其運算之可靠度。 X 24 ( ) F(A,B,C,D)=Σ(1,2,4,7,8,11,13,14),則f=(A⊕B)⊕(C⊕D)。 O 25 ( ) 圖騰柱輸出結構可接成線接及閘(Wired-AND Gate)。 X 26. ( ) 印刷電路板上電子零件的焊接,以使用60Sn~65Sn程度的焊錫為宜。 O 27. ( ) 變壓器、銅器、腳墊、束線揚聲器於機殼上螺絲由外向內鎖上,螺帽應加於內部。 O 28. ( ) 根據ETA規格,電容器〝公稱靜容容量〞是以PE為單位,並以三個數字表示,例〝103K〞。 O 29. ( ) 方塊圖為表示電路主要部,以互相連接的箭頭提供一信號流程圖,在輸入輸出端點可加入電壓電流等數據。 O 30 ( ) 一電阻器每秒產生1000卡之熱量,若其三端電位差為30伏特,則電阻器為0.316Ω。 X 31 ( ) 在計算戴維寧等效電阻時,必須將電壓源開路電流源短路。 X 32 ( ) 10μF電容器加上100Hz交流電壓,其電容抗Xc為1000Ω。 X 33 ( ) 有一電感性網路在接至電源之瞬間,電感器可視為短路。 X 34 ( ) 串聯諧振電路其選擇性與Q值成正比。 O 35 ( ) 交流電壓V=100sin 100t,加在R=10Ω及L=10H的串聯電路,為改善功因數使其值為1,可串聯10uf之電容器達成。 O 36 ( ) 0dBm的定義是將0.707V電壓加在負載600Ω上所消耗的功率為1mW。 X 37 ( ) 儀表經多次測量時,每次測量值間的差異程度,稱之為準確度。 X 38 ( ) 電壓表之內阻值愈大,則靈敏度愈佳,負載效應愈小。 O 39 ( ) 某安培表與1Ω電阻並接時,其測量範圍提高為原來的十倍,則此安培表內阻為9Ω。 O 40 ( ) 靈敏度為20KΩ/V的電壓表,用來測量250V電壓時,其內阻應為5MΩ。 O 41 ( ) 以指針式三用電表量測電壓時,若指針偏轉愈大,則誤差愈大。 X 42 ( ) 一般三用電表表頭的線圈繞在一方型鋁框上,該鋁框之作用為了得到良好的導磁性。

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