宽禁带半导体.ppt

宽带隙半导体的研究现状与展望;以前商务人士总是在抱怨，公司使用的投影机体积太大，跑业务时，投影机是最让他们头痛的地方。最近三菱公司推出一款可以放在手掌上的DLP口袋式投影机，它不仅适合个人娱乐，更符合移动商务人士讲求便利、行动自如。 这款口袋式投影机的体积为121X 47 X 97（毫米），重400克，可以轻松放入用户口袋中. ? ; 每日经济新闻 目前我国能源日益紧缺，LEDs照明可大大达到节电目的，预计2010年我国用电量将达2.7万亿度，照明用电量超过3000亿度。只要有1/3的白炽灯被LEDs灯取代，每年就能为国家节省用电近1000亿度，相当于一个三峡工程的年发电量。 LEDs ? ; 东方网-文汇报 　 2005年1月11日，日本东京高等法院做出判决，要求日亚化学工业公司向蓝色发光二极管发明人中村修二教授支付职务发明报酬8.43亿日元。 　 ?;What ‘s the third generation semiconductors (TGS) ? What’s the third luminescence reverlution (TLR) ? The relationship between TGS and TLR 国家半导体照明工程 ZnO AlN ;什么是第三代半导体(TGS)?;; Ⅲ-V族GaN基系列半导体材料，主要包括GaN、AlN、InN、AlGaN、InGaN和AlGaInN等。室温直接带隙宽度分别为InN（0.7eV）、GaN（3.4eV）、AlN（6.2eV），三元合金的带隙变化0.7eV - 6.2eV所对应的光谱变化范围从紫外光延伸到红外光波区域，称之为全光谱材料。 ; GaN室温电子迁移率可达1000m2/(V·S)。 GaN基系列半导体材料具有强的原子键、化学稳定性好，在室温下不溶于水、酸和碱； GaN基半导体也是坚硬的高熔点材料，熔点高达约1770℃。 GaN具有高的电离度，在III-V族化合物中是最高的（0.5或0.43）。; GaN 基材料的器件应用 1、发光器件（LEDs, LDs); 2、场效应晶体管; 3、紫外光探测器; 4、微波波导 5、光存储器件 ……. ;What’s the third luminescence reverlution(TLR)?; 1962年，第一只半导体发光二极管（LEDs — Luminesence Electron Diode) 问世，孕育着照明领域将发生第三次革命（气体发光 固体发光）； ;发光二极管（LEDs）;At the junction, free electrons from the N-type material fill holes from the P-type material. This creates an insulating layer in the middle of the diode called the depletion zone. ; When the negative end of the circuit is hooked up to the N-type layer and the positive end is hooked up to P-type layer, electrons and holes start moving and the depletion zone disappears ;When the positive end of the circuit is hooked up to the N-type layer and the negative end is hooked up to the P-type layer, free electrons collect on one end of the diode and holes collect on the other. The depletion zone gets bigger ;LEDs have several advantages over conventional incandescent lamps. For one thing, they dont have a filament that will burn out, so they last much longer. Additionally, their small plastic bulb makes them a lot more