磁控溅射法在- Si表面上生长的- Zn- O薄膜的阴极射线荧光课件.pptVIP

Si作为衬底的优越性和需要注意的问题 Si是最便宜的一种衬底材料 结构：立方晶体，常数a = 5.43 ?， 晶格失配较大(ZnO: a = 3.252?) 。 缓冲层的作用：减少应力； 减少晶格失配 Si与ZnO薄膜之间缓冲层的生长 1.SiO2 缓冲层。 但缓冲层上外延ZnO材料的XRD谱中，ZnO（002）峰的半宽度都大于0.3°，因此，晶体质量不理想 2.低温生长ZnO作为缓冲层。 3.利用Zn作为缓冲层。 可使（002）峰的半宽度达到0.2°,晶体质量得到了提高 ? ZnO薄膜 / Si的一些生长 方法之比较 1）分子束外延法（MBE）和金属有机化学气相沉 积法（MOCVD） ：薄膜质量好但成本高 2）磁控溅射和直流溅射技术：质量成本较适中， 一般需要退火方能得到较好的质量 3）Sol-gel 方法和电化学法：成本低，质量较差 本文采用直流溅射制膜，研究退火对ZnO薄膜的晶体质量和发光特性的影响 2. 硅衬底上ZnO薄膜的制备及其结构特性2.1. 薄膜的制备 Si（100）面 上，在纯Ar气氛中生长一层约10nm厚度的Zn隔离层 ；在生长ZnO薄膜时，同时在真空系统中通入Ar（50%）+ O2（50%）的混合气体作为反应气体，压力保持在2×10-2Torr，衬底温度保持在400℃，溅射功率为15W，经过约1小时的反应，可得到200nm厚的ZnO薄膜。 表2 . ZnO样品的退火温度和薄膜颜色的变化Table 2. Annealing condition and variation of sample colour of ZnO films 样品编号 退火条件 ZnO薄膜颜色的变化 1# 原生、无退火 亮白透明 2# 600℃、1hr 灰色透明 3# 800℃、1hr 浅蓝色透明 4# 950℃、1hr 深蓝色透明 ? 2.2. 光学跃迁：不同温度退火后的ZnO薄膜的阴极射线光谱（CL） 一般情况 ZnO晶体的荧光发射谱有两个峰： --- 390nm附近的“紫外峰” 。是激子发射. (激子态的产生，对晶体质量非常敏感。晶体质量下降到一定程度时，从XRD图像上来看，还存在较明显的取向，但发射光谱中激子峰却消失了。) --- 505nm的宽带“绿峰”，产生于缺陷发光 (包括“施主-受主对”跃迁)。 350 400 450 500 550 600 650 Wavelength (nm) 原生 600℃ 800℃ 950℃ ZnO 不同温度退火后的ZnO薄膜的CL发射谱。 由图可见，各个样品都存在着“紫峰”和“绿峰”两个发射带，但随退火条件的不同，两个发射带的峰值强度和峰位有很大的变化，同时峰的半高宽也产生了相应的变化: 原生: 380nm, 弱 ; 510nm, 强 600oC: 387nm, 稍强; 515nm,稍弱 800oC: 400nm,很强;520nm，弱 950oC: 390nm,弱;525nm，强 原生—800oC样品紫峰的变化: 峰位红移,峰强迅速增加(是由于退火导致ZnO薄膜晶体质量的改善，从而使得激子的发光机制发生改变所致:由自由激子到EHP发射) 950oC样品:紫峰峰强急剧下降 绿峰峰位的变化:由505nm红移至525nm, 同时谱带的宽度变窄 . AFM图像(下页)所显示的结果 :即随着退火温度的升高，薄膜的表面形貌发生由六角向四角晶相的相变，这种相变是不彻底的，包含着六角和四角两种相。随着退火温度的升高，四角相有增加的趋势，这有可能是硅锌化物的产生而导致的 (c) ? Surface morphology of the ZnO films annealed at different temperature studied by AFM. (a) as-grown film, (b) 600oC, 1 hr annealing, (c) 800oC, 1 hr annealing and (d) 950oC, 1 hr annealing. ? ? (a) --- 500nm (b) --- 500nm (c) ---- 1000nm (d) ---- 500nm ZnO , Zn2SiO4微晶粉末(4N)的CL发射谱的比较 350 400 450 500 550 600 650 Zn2SiO4 ZnO Wavelength (nm) * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 * 。。 *