固体的能带结构2.pptVIP

（四） Ｐ-Ｎ结 一、Ｐ-Ｎ结的形成 如果把P型 半导体和N型 半导体相接触，那么在接触的边界区就会形成一种特殊电结构，即P——N结。 ◆由于P型半导体中空穴载流子的浓度远大于电子载流子，而N型半导体中电子载流子的浓度远大于空穴载流子，因此当它们相接触时，在接触边界两边的载流子的浓度差就特别大。 Ｎ区的电子向Ｐ区扩散，Ｐ区的空穴向Ｎ区扩散。在扩散前，N，P型 半导体都是电中性。因此扩散的结果，在P型半导体和Ｎ型半导体的交界面附近的两侧就出现了正，负电荷的堆积，即在交界处形成了一个电偶层，其厚度约为10-7m（即大约1000个原子的厚度），这就是P——N结。 内建场大到一定程度,不再有净电荷的流动，达到了新的动态平衡． P-N结 n型 p型 内建场阻止电子 和空穴进一步扩散， 记作 ． 在P——N结中有一个由N指向P的附加电场，称为内建场，又称阻挡层。 1、 P-N结处存在电势差Uo，P型 一侧较低，N型 一侧较高，形成一个势垒。 也阻止右边 N区 带负电的电子进 一步向左扩散． 它阻止左边 P区 带正电的空穴进 一步向右扩散； U0 电子能级 电势曲线 电子电势能曲线 P-N结 二、P——N结能带的弯曲现象． 考虑到P-Ｎ结的存在，半导体中电子的能量应考虑进这电势差U0带来的电子附加势能-eU0. P型 一侧电势较低，这样在P型 导带中的电子要比在N型 导带中的电子的电势能较高，其能量的差值即为eU0. U0 电子能级 电势曲线 电子电势能曲线 P-N结 2、P——N结能带的弯曲现象 于是在P—N结的能带就发生了弯曲。 三. Ｐ-Ｎ结的单向导电性 １. 正向偏压 在Ｐ-Ｎ结的p型区接电源正极，叫正向偏压. 阻挡层势垒被削弱、变窄，有利于空穴向N区运动，电子向P区运动， 形成正向电流（mＡ级）． p型 n型 I 外加正向电压越大， 正向电流也越大， 而且是呈非线性的 伏安特性. V （伏） ３０ ２０ １０ （毫安） 正向 0 0.2 1.0 ２. 反向偏压 在Ｐ-Ｎ结的ｐ型区接电源负极,叫反向偏压. 阻挡层势垒增大、变宽，不利于空穴向Ｎ区运动，也不利于电子向P区运动,没有正向电流.． I p型 n型 但是，由于少数载流子的存在，会形成很弱的反向电流， 击穿电压 ☆当外电场很强,反向电压超过某一数值后，反向电流会急剧增大----反向击穿． 称为漏电流 （?Ａ级）. V(伏) I -１０ -２０ -３０ （微安） 反向 -20 -30 ☆P—N结正向导通，反向 截止，这种特性即称之为P—N结的单向导电性。 利用P-N结 可以作成具有整流、开关等作用的晶体二极管。 ★ 半导体的其他特性和应用 ?热敏电阻 ?光敏电阻 ?温差电偶 P-N结的适当组合可以作成具有放大 作用的晶体三极管（trasistor），以 及其他一些晶体管. ?集成电路 1947年12月23日，美国贝尔实验室的半导体小组做出了世界上第一只具有放大作用的点接触型晶体三极管。 ? 固定针B 探针 固定针A Ge晶片 1956年小组的巴丁等三位成员 获诺贝尔物理奖. * 首 页 上 页 下 页 退 出 * 根据固体的结构, 固体材料分为: 前 言 晶体 非晶体 准晶体（ 1984年发现） 食盐、云母、金刚石 玻璃、松香、沥青 Ti--Ni—V 急冷合金中发现的五次对称现象 AI—Mn 准晶体 本节教材中的固体即指晶体 理想晶体的基本特征是：原子排列有规则，具有周期性，长程有序。 非晶体结构不规则，是短程有序。 1、 晶体是由大量分子、原子或离子组成。 晶体的结构和分类 2、晶体的分类 按照结合力的性质晶体可分为四类 大量分子、原子或离子在三维空间的周期性规则排列方式称为固体的点阵结构（晶体点阵）。 ?（1）离子晶体 以离子间的库仑力为结合力，如NaCl ?（2）共价晶体 以共价鍵为结合力，如H2 ?（3）分子晶体 　以范德瓦耳斯鍵（无极分子相互接近时诱发的瞬时电偶极矩）为结合力，如大部分有机物 ?（4）金属晶体 　以共有化价电子与离子实间的库仑力为结合力 二十世纪初，特鲁德和洛仑兹建立的经典的金属自由电子论，能说明金属的导电性，和导热性质，但对有些材料是导体，有些是绝缘体，有些是半导体不能解释。 能带理论是研究固体中电子运动的一个 主要理论 固体的能带理论提出了导电的微观机理，指出了导体和绝缘体的区别，同时也指