05微波混频器和检波器.ppt

* §2.4.2 平衡混频器(书§2.4.3) 优点： 电桥 -- 改善隔离，充分利用信号、本振功率，增大信号动态范围 减弱本振噪声，改善噪声系数 抑制谐波，减少失真、干扰与损耗 一、900移相型 混频管两只，特性一致 混频管经匹配电路变为 50欧姆 分支电桥，均分功率，隔离本振和信号 微波接地用四分之一波长开路微带 两混频管直流闭合 需中频通路 * * 90移相变阻抗电桥 混频管阻抗经移相成纯阻RD 变阻抗电桥 3，4 口阻抗为RD 微波接地用扇形线 * 常用电桥 * 1. 混频管上的相位关系 规定二极管上电压、电流以二极管导通方向为正方向 信号 本振 中频 输出 电导 假设?S ?L，?if = ?S- ?L * 信号 本振 中频 输出 电导 输入信号、本振功率平分加到两个混频管，得到充分利用。降低了对本振输出功率的要求，增加了输入信号的动态范围一倍。 * 2. 混频器噪声 本振携带的信频噪声分成2路 加在两只混频管上 两管产生的中频噪声 输出的中频噪声 * 本振携带的信频噪声在两管产生的中频噪声相互抵消。 * 本振携带的镜频噪声 ---- 同样情况 * 本振携带的镜频噪声在两管产生的中频噪声相互抵消。 * 3. 混频器的组合频率 (自学书p.74) 两管输出端电流 表示成傅立叶级数 总电流 m = n各项不存在 相差2? 的各项不存在 （例 m=1，n=3，…..) * 二、1800移相型混频器 本振反相型（1800） 信号同相（00） 特点： 尺寸大 本振偶次谐波组合频率(n?L??S，n=2，4，6，?)无输出 结构复杂 * 规定二极管上电压、电流以二极管导通方向为正方向 信号 本振 中频 输出 电导 假设?S ?L，?if = ?S- ?L * 信号反相型(避免线路交叉) 信号反相、本振同相 偶次谐波抵消 尺寸小 信号对本振隔离度高：本振功率由4和3端口反射的信号在1端口抵消。 信号端驻波比差：本振、信号的两管反射在各自输入端口叠加。 * §2.4.3 桥式混频器(环形混频器、双平衡混频器) 频带宽：0.01~2GHz，1~26GHz 隔离度好：管芯一致, 结构对称 谐波干扰少：n?L ? m ?S ，n和m为偶数的不存在 只剩四分之一组合频率，其余在环内。 动态范围：比单平衡混频器大3dB，比单管混频器大6dB。 (书§2.4.4) (自学书pp.76-79) * 第四章 微波混频器和检波器 物理电子学院 贾宝富 教授 * * 目录 §4.1 引言 §4.2 肖特基势垒二极管和检波二极管 §4.3 微波混频器工作原理 §4.4 微波混频器的基本电路 §4.5 镜像回收混频器 §4.6 毫米波混频器及谐波混频 §4.7 微波集成检波器 §4.1 引言 高频输入信号中包含载有调制信息的信号称为射频输入端(RF，fs)；另外一组叫本振激励信号(LO，fP) * 信号混合单元 非线性元件 滤波器 中频/高频输出 高频输入1 高频输入2 非线性单元输出频谱 非线性单元可以利用的频谱 非线性元件的输出 差频或超外差： 谐波混频： 上变频器 * * 混频器中的非线性元件 二极管混频 性能稳定 动态范围大 结构简单，无电源 成本低 三极管混频 有混频增益 可实现自振荡混频 混频器的电路结构 混频器有单管式混频： 单管式混频只用一支二极管，结构简单，成本低，但噪声高，抑制干扰能力差，在要求不高处可以采用 平衡式混频和多管式混频： 平衡式混频器借助于平衡电桥可使本机振荡器的噪声抵消，因而噪声性能得到改善，电桥又使信号和本振之间达到良好隔离，因此平衡混频器是最普遍采用的形式；还有多个二极管的混频器，比如管堆式双平衡混频器。 镜频抑制混频器： 用于多倍频程设备、镜频能量回收或自动抑制镜频干扰。 * §4.2 肖特基势垒二极管和检波二极管 物理电子学院 贾宝富 教授 * * §4.2.1 肖特基势垒二极管 (Schottky Barrier Diode) 金属-半导体结（肖特基势垒结）的工作原理 管芯结构 N+ 基片(Si)：0.1~0.2mm 外延：纯度高，结构细， 晶格错位少 保护绝缘层SiO2 开窗 蒸发金属构成势垒 欧姆接触 * 金属-半导体结（肖特基势垒结）的工作原理 如果在半导体表面蒸发一层金属膜，则在二者交界面形成金属一半导体接触(肖特基势垒结)。金属一半导体接触的整流特性是由于金属和半导体之间存在静电势垒而产生的。 热平衡状态下EF 的统一 处于热平衡状态下的电子系统，才有也必有统一的EF ，所以当上述金属和