04微波晶体管放大器.ppt

高功率固态甲乙类线性功率放大器 工作频率: 960～1220MHz 输入功率: 0dBm 输出功率: 30dBw ± 0.5dB 输入过载保护: +6dBm 带外驱动保护: ≤+6dBm 输入驻波比: ≤2:1 输出负载驻波比: 在任意相位情况下, 无限大保护 谐波输出: ≤-30dBc 寄生输出: ≤-60dBc 工作状态: 甲乙类 调幅失真: 在80%调制深度时, ≤10% 保护功能: 热过载保护、负载驻波比保护、过激励保护、 器件失效保护、带外驱动保护、过电压保护、 过电流保护、欠电压保护 * 用于移动通信的功率放大器 频率范围MHz Pout(dBm) 增益(dB) 功率附加效率(%) 偏置(V) GSM 890～1900 32～35 30 50～55 3～5.8 PCS 1850～1910 28～32 24 30～42 3～5.8 蜂窝 824～928 28～32.5 27 30～60 3～5.8 PCS?CDMA、TDMA 蜂窝?CDMA、TDMA、AMPS * Simulation Setup: Output Match to RL for Max RF Power * 根据管子的小信号S参数模型和IV曲线，仿真放大器的输出功率特性： 如果设计师只有小信号S参数（及静态IV特性曲线）作为模型来设计功率放大器，他必须以尽可能与RL（相对RF最大输出功率的负载线电阻）匹配为目标，优化和确定输出匹配电路元件值。然后可优化输入匹配电路的元件值，改善增益和输入匹配电路。这不会影响输出功率。在优化前，必须得到尽可能完整的输出电路模型，再在工作频率对其优化，达到与RL的最佳匹配。取得的漏、源封装元件必须包括在该模型中，这些元件完全或在很大程度上确定了串联匹配电感。而且，在ADS电原理图中，考虑到所有元器件的寄生参量是很重要的。例如，通孔和贴片元件（电容、电阻和电感）。与元件厂商联系，取得各元件寄生参量的精确值。请记住，仿真只是尽可能精确到元件的模型值。 * Output Match to RL * 输出匹配电路是在正确的频率上谐振，但匹配情况很临界。这表明匹配电路未合适地调整到RL，对于FLL351ME管为11欧姆。 Schematic for Simulating Z Presented to the Device’s Internal Drain Terminals 管子漏极负载RL=11.4欧姆，要确定匹配电路距目标值RL多远，就必须改变电路的仿真原理图，去“测量”由整个输出匹配网络（端接50欧姆负载）表示的漏极负载阻抗。偏置电路的影响较小，在仿真时略去。 * 反映到漏极的负载阻抗Z * 对匹配电路反映到管子漏极的阻抗进行仿真，得阻抗实部约20欧姆，不是所要求的11欧姆。这说明管子未匹配到最大输出功率的阻抗。 Optimize to Improve Match to RL * 根据管子的小信号S参数模型和IV曲线，优化放大器的输出功率特性： 如果设计师只有小信号S参数（及静态IV特性曲线）作为模型来设计功率放大器，他必须以尽可能与RL（相对RF最大输出功率的负载线电阻）匹配为目标，优化和确定输出匹配电路元件值。然后可优化输入匹配电路的元件值，改善增益和输入匹配电路。这不会影响输出功率。在优化前，必须得到尽可能完整的输出电路模型，再在工作频率对其优化，达到与RL的最佳匹配。取得的漏、源封装元件必须包括在该模型中，这些元件完全或在很大程度上确定了串联匹配电感。而且，在ADS电原理图中，考虑到所有元器件的寄生参量是很重要的。例如，通孔和贴片元件（电容、电阻和电感）。与元件厂商联系，取得各元件寄生参量的精确值。请记住，仿真只是尽可能精确到元件的模型值。 * Results: Improved Match to RL * 用ADS优化器对最佳优化RL=11.4欧姆调整输出电路元件值，输出匹配情况大大改善。反射损耗接近-15dB，表明与RL良好匹配。 Load Z after Optimizing RL Match * 通过再次对阻抗Z（最佳输出电路反映到管子漏极终端的阻抗）仿真，可知目前阻抗的实部非常接近11欧姆。这表明管子的输出阻抗与产生最大RF输出功率的阻抗良好匹配。 Amplifier Stability Factor (K) * 放大器稳定因子K 在宽频带内，用ADS仿真计算放大器的稳定因子。发现放大器在工作频率是无条件稳定的，但在低频端，降为有条件稳定