第二章纳米结构单元-公开课件.pptVIP

(2) 生成的SiO气体与C-tube反应,生成SiC纳米丝 SiO(v)+C-tube(S) → SiC(S)+CO(v) (2) SLS growthof PbS，CdS nanowires 与V-L-S机制的区别在于：按V-L-S机制生长， 原料由气相提供； 而S-L-S机制的原料是由溶液提供的。 ⑷ 激光烧蚀与晶体的气-液-固生长法相结 合，生长出第IV族的半导体纳米线 1998年，美国哈佛大学用该法制备出了Si与Ge纳米线 Si0.9Fe0.1, Si0.9Ni0.1, Si0.99Au0.01 Charles M. Lieber 制备了直径为6-20nm，长度为1-30微米的单晶硅纳米线。 原理: 该法中激光烧蚀的作用在于克服平衡状态下团簇尺寸的限制，可形成比平衡状态下团簇最小尺寸还小的直径为纳米级的液相催化剂团簇，这种液相催化剂尺寸的大小限定了后期按V-L-S机理生长的线状物的直径。 Si0.9Fe0.1 V-L-S机理生长 该制备技术具有一定的普适性，只要与欲制备的材料能与其他组分形成共晶合金，则可根据相图配制作为靶材的合金，然后按相图中共晶温度的条件激光蒸发和凝聚，就可得到欲制备的纳米线。 该方法除第IV族外制备了GaAs， CaP， InP ，ZnSe ，CdSe， CdS，ZnS等纳米线。 ⑸ 金属有机化合物气相外延（MOVPE） 与晶体的气-液-固生长法（V-L-S）相结 合，生长III-V族的半导体纳米线 日本日立公司报道了用MOVPE与晶体的V-L-S生长法相结合生长GaAs，InAs纳米线 其生产工艺图如下： 首先用真空蒸镀法将金沉积在GaAs衬底的表面，金沉积层的厚度不超过1nm, 得到的纳米线 长为: 1 ～ 5微米， 直径为: 10 ～ 200nm 然后以TMG和AsH3为原料，将表面沉积有金层的GaAs为衬底置于金属有机化合物气相外延装置中，在合适的条件下，就可以在GaAs衬底上生长GaAs的纳米线。 GaAs InAs纳米线的生长过程与GaAs纳米 线的生长过程十分类似。 其衬底即可用GaAs也可用InAs，原料中用TMI代替TMG得到的纳米线，直径为20nm。 纳米线的形成是因为沉积在表面的金对纳米线的生长具有催化作用，以InAs衬底上生长InAs纳米线为例来说明： 利用该方法还制备了ZnO纳米丝, In2O3　纳米棒阵列 （６）碳热还原－ＶＬＳ生长纳米线 （7）简单物理蒸发法制备纳米线 1998年北大俞大鹏等用简单的物理蒸发法制备了硅纳米线。 　具体方法：经过8小时热压的靶（Si 95% Fe 5%) 置于石英管中，管内通入Ar蒸汽作载气，另一端以恒定的速率抽气, 整个系统在1200℃保温20小时，在收集头附近收集到 d=(15±3) nm，长度为几微米到几百微米的硅纳米线。 ⅰ 管的气压对纳米管的直径影响很大，随气压 的升高，纳米管的直径明显增大。 ⅱ必须有催化剂参加。 其生长分为两个阶段: 共溶液滴的形成 气-液-固(V-L-S)机制生长硅纳米线. 气相传输冷凝法： 热蒸发，CVD， 激光烧蚀法, MOCVD, 分子束外延 温度升高 D增加 （８）金属表面上的原位生长法 In 颗粒 + O2 Materials Chemistry and Physics 107 (2008) 122–126 Materials Chemistry and Physics 107 (2008) 122–126 图1 不同反应温度和时间制备样品的SEM 图(喷金时间60 s) GeO2纳米线 (a), (b) 600℃ 1 h (c)~(e) 700℃ 1 h (f) 800℃, 1 h Ge 片 + O2 中国科学 E 辑: 技术科学 2008, 38 (1), 24 ~ 35 拓展V-L-S和表面扩散协同作用的结果 Ga2O3, GaN, ZnO, InP纳米线等不同的纳米结构 (９)溶液-液相-固相( S-L-S）生长法制备III-Ⅴ半导体纳线 美国华盛顿大学Buhro等人采用SLS法在低温（165～203℃）合成了InP, InAs