(LY-QS-8.2.4-021-A1)CP-晶圆检验标准.docVIP

文件名称：CP 晶圆检验标准 文件编号：LY-QS-8.2.4-021 制定单位：品经部 修订履历 生效日期 版次 修订人 修订内容 2016-8-20 2016-10-20 2016-12-22 A0 A1 黄良汉 王涛 毕明明 首版发行 追加第4条标准内容：针对XW的产品边缘晶圆外4圈区域（不完整DIE不算一圈）的PAD变色，不做管控，做允收判定 变更公司LOGO 增加HD护层不良、线路不良管控要求 LY-R-4.2.3-009 A2 1.目的 为CP 外观检验提供依据。 2.适用范围 本公司内晶圆的检验。 3.职责 品经部：负责检验标准之制定及修改，并依本标准对产品进行抽检。 其他部门：依本标准对晶圆产品进行品质判定。 4.标准内容 检验项目 检 验 标 准 参考图形 污染 不可移动的异物不得存在PAD上。 晶粒上不允许有水珠和油污及光阻残留。 晶背不可有目视可见污染，如果存在高低差（即凹凸不平）且无法去除时，拒收 护层不良 除PAD开窗外，所有护层不可有破损 护层上有龟裂----拒收 光阻剥落或显影不良造成图形异常或呈现锯齿状. HD如右图护层不良，检验不管控 NG OK HD如右图线路不良，检验不管控 氧化/铝腐蚀/焊变 PAD氧化、腐蚀或变黄色、咖啡色、黑褐色或有七彩色；针对XW的产品边缘晶圆外4圈区域（不完整DIE不算一圈）的PAD变色，不做管控，做允收判定。 在50倍的目镜,铝路不可发生氧化,铝变色腐蚀,焊变。 显微镜下观察pad上有荷叶状或蝴蝶状图案，观察其颜色偏黄或偏灰且边界明显， 线路表面不允许有。 针痕不良 针痕和因针痕造成的铝屑都不允许超出PAD的边框。 针痕不应该造成PAD 外侧产生裂痕，破损或变形，需确保边框的完好。 A，PAD针痕数目： 1）普通产品≤3次 OTP产品：CP1≤2次，CP2≤3次 CP3≤4次 B，在50倍的目镜PAD上之探针痕露底材的面积： 普通产品不得大于针痕的1/5 OTP产品不得大于针痕的1/4 C，所有产品针痕面积≤1/4 PAD面积 1，针痕偏移突出焊垫桥接铝路或邻近焊垫，拒收； 2，当WAFER的PAD有双框现象时，针痕扎偏不可覆盖到PAD外围线。 图一为拒收；图二可允收，但需改善。 图一 图一 图二PADD 图二 PADD 刮压伤 铝路上刮/压伤有以下两种情况: 造成铝路或焊垫间短路及桥接---拒收 有曝露底部氧化层----拒收 刮压伤造成铝路路间隙减少1/2或铝路宽度(线宽)减少1/2—拒收 背面刮痕：背面呈白色条状，为背面刮痕，不能伤及电性和露底层，可接受，但需在流程卡及检验报表上记录。 刮痕呈黑色条形状（裂痕），拒受。 PAD上刮/压伤不得位于中央焊线区,总面积不得大于20% 图略 PAD开窗不良 PAD开窗位移桥接邻近焊垫，开窗面积未超过1/4者允收,造成桥接拒收（如图一：PAD已向左边偏移） PAD上护层开窗不良而盖住PAD面积1/4以上者---拒收（且不得位于中央焊线区） 因开窗〈蚀刻〉错位，使其超过PAD外围上的N、P扩散线---拒收 开窗不足： 开窗面积＜PAD 3/4---拒收 ≥PAD 3/4----接收 图二图一 图二 图一 PAD不良 PAD缺损超过原来面积的10%。 CVD沉积不良 1、护层CVD沉积不良造成之麻点或纹路，麻点或纹路密度足以影响底层判定者---拒收 2、二次蚀刻不完全者造成晶粒上稀疏之斑点和纹路异常—允收 QS AW1699系列型号发现有麻点都需要反馈客户，其他型号产品按照右图标准判定，后续如果发现有与标准图片不一致的无法抉择判定的可与客户沟通后添加到标准中。 以上麻点不可接受 INK 1、INK大小订为约4~6个PAD Size 之间或按Die的大小管控标准（最小要肉眼可见） A、 2.0mm2以下 标准为350μm±100μm B、2.0-4.0mm2 标准为400μm±150μm C、4.0mm2 标准为400μm±150μm 2、INK高度在20μm以下 目视有异常时请测量。 20μm以下 INK中空区域不可超过INK包围面积的50%。 墨迹 墨迹(点)覆盖于晶粒表面上呈分散状,不可崩散残留在良品晶粒上超过1个PAD面积(以总溅墨点合计,不含PAD区域)。 晶粒表面上之墨点(迹),且有规则之外形,类似圆型或椭圆型状总面积大于1/4 PAD面积—拒收（不含PAD区域)。 分散状圆形椭圆形 分散状 圆形 椭圆形 墨迹残留在PAD开窗区域内不可超过PAD开窗区域的25%且不得位于中央焊线