U18-107B梯次下线晶片资料.PDFVIP

U18-107B梯次下線晶片資料 1. 申請編號中，序號之大寫英文字母代碼表示： A ：10%部分費用負擔、 E ：教育性晶片。 而序號尾端之字母代碼表示： a ：使用Cell-based Design Kit 、m ：使用CIC MEMS後製程。 2.可否下線準則依序 : 有無回覆委員建議、審查評等、教授加總積點、審查結果平均加總積分、 可擺放的剩餘面積等。 ========================================================================== 下線名單：申請編號( 專題名稱- 晶片形式- 晶片面積- ) 申請編號 : U18-107B-A0001 專題名稱 中文( ):單光子偵測器 專題名稱 (英文): Single Photon Avalanche Diode 晶片形式 : N/A 晶片面積 : 0.692*0.793 mm2 申請編號 : U18-107B-A0002a 專題名稱 中文( ): 用於偵測癲癇發作及應用深腦刺激術治療癲癇症病人之植入閉鎖式生物晶片 專題名稱 (英文): Application of a closed-loop biomedical system chip on the responsive brain stimulation for the epilepsy detection and anti-epileptic effect in patient with epilepsy 晶片形式 : 208 CQFP:8Pcs 晶片面積 : 5.138*5.165 mm2 申請編號 : U18-107B-A0003m 專題名稱 中文( ): 三軸加速度計前端類比及數位整合電路設計 專題名稱 (英文): A Three-axis Accelerometer front-end analog and digital integrated circuit design 晶片形式 : 68 CLCC:8Pcs 晶片面積 : 2.240*2.040 mm2 申請編號 : U18-107B-A0004 專題名稱 中文( ): 低靜態電流雙端低跨壓線性穩壓器 專題名稱 (英文): dual supply ultra low quiescent current linear low drop regulator 晶片形式 : 18 S/B:8Pcs 晶片面積 : 1.128*1.249 mm2 申請編號 : U18-107B-A0005 專題名稱 中文( ): 12位元低功率循環式數位類比轉換器 專題名稱 (英文): 12-bit low Power Cyclic DAC with Dynamic Amplifier 晶片形式 : 18 S/B:8Pcs 晶片面積 : 0.863*0.743 mm2 申請編號 : U18-107B-A0006 專題名稱 中文( ): 太陽能擷取與管理搭配最大功率追蹤技術之單電感雙輸出切換式升降壓電路 專題名稱 (英文): A SIDO boost converter with solar energy harvesting and MPPT technique powered by PV cell 晶片形式 : 40 S/B:8Pcs 晶片面積 : 1.238*1.243 mm2 申請編號 : U18-107B-A0008m 專題名稱 中文( ): CMOS-MEMS 差動 LC-TANK 振盪器架構加速度計和讀取電路設計 專題名稱 (英文): DESIGN OF A CMOS-MEMS ACCELEROMETER WITH DIFFERENTIAL LC-TANK OSCILLATORS AND READOUT CIRCIUTS 晶片形式 : 68 CLCC:8Pcs 晶片面積 : 1.430*1.116 mm2 申請編號 : U18-107B-E0001 課程名稱 中文( /英文): 專題實驗 (null) 專題名稱 中文( /英文): 100MHz 延遲鎖相迴路 (A 100MHz Delay-Locked Loop) 晶片形式 : 18 S/B:8Pcs 晶片面積