两种方法制备ITO薄膜的红外特性分析-光子学报.pdf

31 8 Vol3 1 N o8 2002 8 ACT A PH OT ONI CA SINICA August 2002 IT O 周 平 黄昱勇 林宇翔 李海峰 刘 旭 顾培夫 ( , 3 10027) 比较了用电束加热蒸发法和直流磁 溅射法制备的氧化锡铟( IT O) 薄膜在红外波段 的光学特性 实验发现, 通过直流磁 溅射在常温下制备的IT O 薄膜在红外波段折射率稳 定消光系数小, 比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率在波长 1550nm 附近的透过率 可达86% 以上, 消光系数约为004, 方电阻最低为100 . IT O 薄膜; 光学特性; 磁 溅射; 电子束加热蒸发 0 1 , IT O IT O40 K9 ,