模电华科第1章.ppt

选用童诗白、华成英主编的《模拟电子技术基础》（第四版），该教材是成熟的一本经典教材，优秀教材。 （1）常用半导器件; （2）基本放大电路; （3）多级放大电路； （4）集成运算放大电路； （5）放大电路的频率响应； （6）放大电路中的反馈； （7）信号的运算和处理； （8）波形的发生和信号的转换； （9）功率放大电路； （10）直流电源。 学生初步具有一看、二算、三选、四干的能力。 （1）掌握基本概念、基本电路、基本分析方法； 一、N 沟道增强型 MOS 场效应管 结构 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 　N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图 S G D B 1. 工作原理 (1)UGS = 0 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。 S B D (2) UDS = 0，0 UGS UGS(th) 栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近 SiO2 一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。增大 UGS 耗尽层变宽。 (3) UDS = 0，UGS ≥ UGS(th) UGS 升高，一方面耗尽层增宽,另一方面将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间,形成一个N型反型层,反型层构成了漏-源之间的导电沟道。 UG