碳化硅―氧化铝多孔陶瓷的制备研究.docVIP

碳化硅一氧化铝多孔陶瓷的制备研究 摘 要：本文以氧化铝粉（44 Mm）为主要原料，碳化硅粉（0.3 u m）作添加剂，磷酸二氢铝作为粘接剂。在300MPa的压力下将粉料模压成 多孔陶瓷胚体，试样屮碳化硅的添加量分别为5%、10%、15%,粘接剂的含 量为6%o将试样在600°C 800°C 1000°C三个温度下烧结，保温1 h后 随炉冷却，测试试样的抗折强度、孔隙率及线收缩率，分析不同烧结温度 和碳化硅的添加量对多孔陶瓷的力学性能的影响。实验结果表明：随温度 逐渐升高，碳化硅添加量的增多，试样的抗折强度逐渐升高，当温度为 1000°C,碳化硅添加量为15%时，试样的抗折强度高达48 MPao在三个温 度下，试样的线收缩率整体变化不大，添加剂含量为5%,在600°C烧结后, 线收缩仅为13%。孔隙率一方面随着温度的升高而下降，另一方面却随添 加剂的含量的增加呈上升趋势。 关健词：多孔陶瓷；颗粒堆积；抗折强度；孔隙率；线收缩率 1引言 多孔陶瓷是粉末原料经成形工艺在高温作用下硬化而制成的，是多晶 体、多相（以气孔为主相）的聚集体［1］。多孔陶瓷具有耐高温、耐磨损、 抗化学腐蚀性能优良、硬度高、比表面面积大、热传导率低等多种优异性 能，已广泛应用与各工业部门及近30年迅速发展起来的化工、空间技术、 医疗、能源、环保等众多领域，可作为牛物陶瓷及催化剂载体、敏感材料、 隔热、吸声、分离