Lecture26 第六章 MOS场效应晶体管.pptVIP

Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province * Chap.6 MOSFET Lecture 26：§6.5 § 6.8 MOS场效应晶体管 及其I-V特性 Prof. Gaobin Xu Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province of Hefei University of Technology Hefei, Anhui 230009, China Tel.: E-mail: gbxu@hfut.edu.cn Outline 1、基本结构与工作原理 2、线性区I-V特性 3、饱和区I-V特性 4、截止区I-V特性 5、亚阈值区I-V特性 MOSFET结构示意图 一、基本结构和工作原理 场区 场区 有源区 1.基本结构 是四端器件，氧化物栅的金属电极是栅极。通常把源和漏下方称为场区，而把栅极下区域称为有源区。 器件的基本参数是沟道长度L（两个PN+结之间的距离），沟道宽度Z，氧化层厚度x0，结深xj