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微电子器件(3-1)资料精
微电子器件分析的典型过程
平衡态 DC响应 AC 响应 瞬态响应
1. 分区、近似求解 1. 在边界条件下求
泊松方程得到平 解中性区少子连 求少子电荷
衡态的参数 续性方程（扩散 控制方程
2. 平衡态载流子电 方程）得到少子
流密度等于零出 浓度分布
发推导出内建电 2. 由电流密度方程
场的大小 得到各电流密度
成分
P区 N区
np 0 pn0
x
反偏二极管的反向电流有哪些可能的产生机制？
反偏二极管可以得到大电流输出吗？
怎样得到大电流输出？
P区 N区
np 0 pn0
x
法1：使耗尽区产生电子－空穴对
P区 N区
np 0 p n0
x
典型器件：光电二极管
光电二极管是将光信号转换为电信号的半
导体器件，器件核心是反向偏置的pn结
在没有光照时，由于pn结处于反向偏
置，只有微弱的反向电流流过
当有光照时，反向电流急剧增加（携带能
量的光子进入PN结后，把能量传给共价键
上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，
从而产生电子空穴对，称为光生载流
子 ）。为了增加光照，pn结面积较大。
法2 ：使靠近耗尽区边界的中性区有更多的少子
P区 N区
np 0 p n0
x
时间维度上，可以采用从开态（正偏）瞬时变为关态（反偏）实现
E
E
1
0 t
-E
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