微电子洁净室概论资料精.pdfVIP

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2019-06-14 发布于湖北
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微电子洁净室概论资料精.pdf

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微电子洁净室概论资料精

潔淨室(Clean Room) 微機電概論 C-K Liang 潔淨室等級微機電概論 C-K Liang 潔淨室控制參數微機電概論 C-K Liang 典型配置圖微機電概論 C-K Liang 氧化層薄膜 •氧化物薄膜性質 •氧化層薄膜之應用 – 元件保護與隔離 – 表面保護 –閘極氧化物介電質 – 摻質阻障層 – 金屬層間之介電質微機電概論 C-K Liang 氧化層目的 :此氧化層含有雜質，一般是不佳的。有時用於記憶儲存或薄膜保護。 SiO 2 (氧化層) + p矽基板註解 : 室溫下每小時成長速率約15Å ，最大厚度約為40Å 。微機電概論 C-K Liang 濕式氧化抽出潔淨器氣體盤熱匣爐管 HCl N O H 2 2 2 微機電概論 C-K Liang 氧化中矽的消耗 0.55t t 0.55t t 0.45t 0.45t 氧化前氧化後微機電概論 C-K Liang 熱氧化製程流程圖氧化爐濕式清洗檢視流量速率化學物質排出薄膜厚度 %溶液溫度