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第二章 DB3基本知识 2.1 DB3简介与工作原理 2.2 DB3技术要求 2.3 DB3工艺过程 DB3简介 双向触发二极管亦称二端交流器件（DIAC），主要在电子节能灯、电子镇流器或其它无线电路中作触发用。近年来，随着国内电子节能灯的日趋普及，双触发二极管的用量逐渐增大。 DB3外观与封装 目前我们使用的DB3有两种封装： A-405（塑封）与DO-35（玻封） 兰色：ST DO-35 乐山（本体标识：DB30） 红色： 晶横（本体标识：DB3） A-405： 黑色 塑封DB3内部结构 DO-35玻封DB3内部结构 两种结构比较 DO-35优点：具有耐热性、可靠性、低损耗、不燃性和小型轻量化等突出优点 。 DO-41优点：抗机械强度高、电流冲击能力大等。 DO-35缺点：抗机械强度不高、受热会使信号断续，容易出现前期失效。 DO-41缺点：热稳定性差，使用后期容易出现失效。 因此，一般大功率和长寿命的节能灯都采用DO-35玻封结构（带罩灯） DB3技术指标 1、触发电压 DB3的触发电压由材料片的电阻率来决定，电阻率高则DB3的触发电压也高；反之，则DB3的触发电压就低。 MIN：28V MAX：36V VBO-T关系曲线 从曲线中可以看出VBO随温度的增加而增加，在110℃左右达到最大值。 2、动态转折电压ΔV 定义：ΔV=VBO-VF，VBO为触发电压， VF为IF在10mA处的电压。 VBO与ΔV的关系 a、DB3的触发电压由材料片的电阻率 来决定 b、DB3结构类似与一个简单的NPN型三极管，其回弹电压深度取决于扩散时的浓度大小和扩散后形成的基区宽度，该两点受到公司工艺条件的控制，不易改变。 C、基于以上两点，当DB3的扩散浓度和基区宽度不变时，电阻率高的触发电压也高，但他的回弹电压并不会改变多少（V3），因为它的大小已经由浓度和基区宽度决定了，但其负阻电压（△V）就会变高，因为设定的测试电流IF始终为10mA。 3、冲击电流ITRM 图中给出了ITRM随tp宽度的变化曲线。在实际的触发电路中，电流的脉冲宽度在400nS左右，所能承受的脉冲电流更大。 4、上升时间tr与峰值电流Ip 要求tr≤2uS、 Ip≥300mA（测试条件：触发电容C=22nF） 在实际测试中，乐山和ST的DB3上升时间在200nS左右，晶恒DB3上升时间在150nS左右； Rise time measurement tr和Ip与启动电容C的关系 Tr与Ip的测试原理图如图所示 tr和Ip随启动电容的增大而增大，反之亦然。 Vdc的变化对tr和Ip没有影响，只影响充电时间。 漏电流IB与IBO IB@U=0.5VBO≤10uA IBO（Breakover current）≤50uA 由于实验条件的限制，这两项无法精确测试。 VBO、ΔV、tr、Ip综合考虑 1、从我们应用的角度来说，Ip越大，灯越容易启动，晶恒DB3 Ip在2.6A左右，乐山和ST DB3在1A以下，星海和银河DB3在2.8A左右。（C=25nF） 2、VBO越大，芯片的抗冲击电流的能力越差； 3、 在VBO相同的情况下（同一厂家的DB3进行对比），ΔV越大，Ip越大。跟芯片结构有关 4、tr越小越好 1.2.2 PN结的单向导电性 当外加电压时，PN结的结构将发生变化（空间电荷区的宽窄变化） 1、PN结外加正向电压 正向偏置 P接电源正，N接电源负 外电场与内电场方向相反（削弱内电场），使 PN结变窄。 扩散运动＞漂移运动。 称为“正向导通”。 PN结外加正向电压（图） 2、 PN结外加反向电压 反向偏置 P接电源负，N接电源正 外电场与内电场方向相同（增强内电场），使PN结变宽。 扩散运动＜漂移运动 称为“反向截止” PN结外加反向电压（图） 3、PN结电流方程 流过PN结的电流I 与外加电压V之间的关系为： I= IS（e qv/KT －1) = IS（e V/VT －1) 其中 VT= kT/q IS ------ 反向饱和电流 PN结伏安特性 由上式 I = IS（e V/VT －1） 当V为正时 I ≈ IS（e + V /VT ） PN结外加正电压时，流过电流为正电压的e指数关系。 当V为负时 I =