微电子器件(2-4)资料精.pdfVIP

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2019-06-14 发布于湖北
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微电子器件(2-4)资料精.pdf

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微电子器件(2-4)资料精

EFn −EFp qV 大注入时中性区的自建电场形成机理 p n (x) N 区 E n (x) n x ⎛ qV ⎞ ( ) exp p n xn ni ⎜ ⎟ ⎝2kT ⎠ qV ( ) ⎛ ⎞ np −x p ni exp⎜ ⎟ 2kT ⎝ ⎠ 大注入时pn结产生的Webster 效应：少子的扩散系数增加一倍（原因：大注入时将在中性区产生的自建电场，自建电场的作用是：使少数载流子的漂移运动与少子扩散运动的方向相同，这就相当于少子的扩散系数增加一倍。） ⎛ qV ⎞ I ∝exp⎜ ⎟ ⎝2kT ⎠ 理想二极管I-V特性商用二极管的I-V特性 §2-4 PN 结的击穿 §2-4 PN 结的击穿本节掌握的主要知识点：三种击穿的机制及影响它们的因素产生击穿的机制产生击穿的机制雪崩效应隧道效应热效应雪崩效应隧道效应热效应 Avalanche Multiplication Zener Breakdown Thermal runaway −V I B V I 0 一、雪崩击穿请画出pn结反偏电压下载流子的运动图反偏时耗尽层的宽度数量级～10-4cm 平均自由程~10-6cm 雪崩击穿引起晶格的振动物理图像