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微电子器件(3-2)资料精
均匀基区pnp 晶体管能带图
EFn −EFp qV
放大状态：
饱和状态：
截止状态：
倒向放大状态：
平衡态
均匀基区pnp 晶体管的各边界上少子浓度
⎛qVEB ⎞ ⎛qVEB ⎞
nE nE0 exp ⎜⎝ kT ⎟⎠ p B p B0 exp ⎜⎝ kT ⎟⎠
Base
E Emitter Collector
C
P N P
nE nE0 n n
C C0
B
⎛qVCB ⎞ ⎛qVCB ⎞
p B p B0 exp ⎜⎝ kT ⎟⎠ nC nC0 exp ⎜⎝ kT ⎟⎠
均匀基区pnp 晶体管的少子分布图：
放大状态：
饱和状态：
截止状态：
倒向放大状态：
忽略势垒区产生复合电流，处于放大状态的晶体管内部的
各电流成分如下图所示：
I I
pE pC
I
pr
I I nr I nc
nE
I I I
+ ,
E pE nE
I I +I −I ≈I +I
B nE nr nc nE nr ,
I I +I ≈I I −I I −I −I
C pc nc pC pE pr E nE nr
I I
pE pC
I
pr
I
I nr
nE
从IE 到IC ，发生了两部分亏损(PNP)：InE 与In r 。
要减小InE ，就应使NE NB ；
要减小I ，就应
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