MCM温度场稳态分析.docxVIP

题目四：MCM温度场稳态分析多芯片组件加散热器(热沉)的冷却分析 图1(a)、图1(b)所示分别为大功率球栅阵列MCM的截面图和俯视图， 五个芯片采用倒装焊方式置于有机基板上，为了增加模块的散热能力，在芯片背 面上加一热扩展面。表1所示为各材料的物理属性。 □ s^、巨Hf ^S|VHd?r□ □口 s^ 、巨 Hf ^S|VHd?r □ (a 模型的热边界条件为： 热源为芯片的功耗，其中ASIC大芯片的功耗为2W,热流密度为62.79x10°W/n?；其 余的四个芯片中，三个微处理器芯片功率的功耗为1.5W,热流密度为61.538xl06W/m3；存 储器芯片的功耗为0.8W,热流密度为49.23lxlO，；W/m\模型外部(热扩展血、基板、PCB) 通过与空气的对流进行散热，在空气自然对流情况下，周围空气的温度为20°C,对流换热 系数为 15W/(m2K)o 表4.1 MCM结构参数和材料属性 模型组件 材料 尺寸(mm) 导热系数 (W/(mk)) 芯片 硅 7x7x0.65； 5x5x0.65 82 芯片凸点 5Sn/95Pb 7x7 , 6x6 ,① 0.3 , Height:0.2,Pitch:0.75 36 基板 A^Oj+BeO 25x25x1.5 20 焊料球 96.5Sn3.5Ag 10x10, ① 0.6, Height:0.4,Pitch: 1.27 3