电子技术高效应用及其应用基础模拟部分.pptVIP

  • 1
  • 0
  • 约3.8千字
  • 约 22页
  • 2019-06-16 发布于广东
  • 举报

电子技术高效应用及其应用基础模拟部分.ppt

电子工程系 第1章 基本半导体器件 1-1 半导体及半导体物理的基本概念 Basic concepts for semiconductor 一、 Atom architecture 二、 Mass architecture 三、绝缘体、导体、半导体 四、半导体结构 四、半导体结构 四、半导体结构 五、半导体导电原理 五、半导体导电原理 一、PN结与电流控制方式 一、PN junction and current control 一、 PN junction and current control 一、 PN junction and current control 一、 PN junction and current control 二、电场控制方式Electrical field control 二、 Electrical field control 外加正向偏置电压 外加反向偏置电压 导体示例 绝缘体示例 半导体示例 PN结导电特性示例 第1章 半导体器件基本原理 1-1 半导体及半导体物理的基本概念 * 第1章 半导体器件基本原理 * 1-1-1 半导体基本理论 Theory 1-1-2 半导体的电流控制方式 一、原子的结构 atom architecture 二、物质的结构 Mass architecture 三、绝缘体insulator、导体conductor、半导体semiconductor 四、半导体的导电原理 一、PN结与电流控制方式current control style 二、电场控制方式 electronic field control + 原子核 电子 电子 自由电子 价电子 价电子 1-1-1 半导体基本理论 价电子挣脱原子核束缚成为自由电子的现象称为本征激发(也称热激发)。 Valence electron Nucleus 1-1-1 半导体基本理论 自由电子 共价键 共价键 在一定条件下: 价电子变成自由电子(激发) 产生空穴 价电子或自由电子填补空 穴(复合) 空穴 ?自由电子、空穴称为载流子 ?自由电子的移动形成电子流 规定电流方向为电子流的反方向 hole Common valence excitate 1-1-1 半导体基本理论 依据:物质在外电场作用下形成电子流能力的大小。 绝缘体Insulator:由价电子为稳定结构的原子组成,不易产生自由电子。 导 体conductor:在外电场作用下很容易产生大量自由电子,形成电子流。 半导体semiconductor:在自然状态下具有绝缘体特性,当满足一定条件时具有导电能力。 1-1-1 半导体基本理论 +32 惯性核 锗原子 硅原子 +14 ? 原子结构 +4 价电子 惯性核 等效模型 Inertia nucleus Silicon atom Germanium atom Valence atom 1-1-1 半导体基本理论 ? 共价键结构 硅晶体的空间排列 共价键结构 半导体晶体: 由原子按结晶方式规则排列形成。 本征半导体: 纯净、结构完整、绝对温度下没有自由电子的半导体 。 Common Valence 1-1-1 半导体基本理论 ? 电子与空穴对 本征激发产生的自由电子和空穴成对出现 。 本征激发和复合在一定温度下达到动态平衡,没有多余的自由电子或空穴。 本征半导体不会在外电场作用下形成电流。 Electron and hole 1-1-1 半导体基本理论 ? 半导体导电条件 有多余的电子或空穴。 ? 掺入杂质 在本征半导体中掺入其他元素,提高载流子浓度。 ? 杂质半导体 N型:掺入五价元素。 P型:掺入三价元素。 N型半导体 P型半导体 Impurity 1-1-1 半导体基本理论 ? 半导体导电的基本方式 ? 半导体导电的基础是电子-空穴对。 ? 半导体中的电流通过电子填补空穴方式实现的。 ? 载流子移动需要外来能源。 ? 半导体的导电能力与温度成正比 。 ? 半导体中的电流与外加电压之间存在非线性关系。 Basic style of semiconductor 1-1-2 半导体的电流控制方式 ? PN结的形成 PN junction N区 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? P区 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? P型 N型 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? PN结 内电场 扩散diffuse: 多

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档