第6章：双极型晶体管.pptVIP

第6章 双极型晶体管 6.1 晶体管概述 6.1.1 晶体管基本结构 从基本结构来看，晶体管由两个十分靠近的，分别称为发射结和集电结的P-N结组成。两个P-N结将晶体管划分为三个区：发射区、基区和集电区。由三个区引出的电极分别称为发射极、基极和集电极，用符号E、B、C（e、b、c）表示。晶体管的基本形式可分为PNP型和NPN型两种。 双极型晶体管重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小；另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压），集电结要反偏置。 双极型晶体管种类很多，按照频率分，有高频管，低频管。按照功率分，有小、中、大功率管。按照半导体材料分，有硅管和锗管等，当前国内生产的锗管多为PNP型，硅管多为NPN型。 6.1.2 晶体管的制造工艺及杂质分布 1.合金晶体管 合金管是早期发展起来的晶体管，比如锗PNP合金晶体管，其结构是在N型锗片上，一边放受主杂质铟镓球，制成发射极；另一边放铟球，制成集电极。加热形成液态合金后，再慢慢冷却。冷却时，锗在铟中的溶解度降低，析出的锗将在晶片上再结晶。再结晶区中含大量的铟镓而形成P型半导体，从而形成PNP结构。 2.平面晶体管 凡采用所谓平面工艺