模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第一章.docVIP

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2019-06-15 发布于四川
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第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。( √ ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 二、选择正确答案填入空内。