光电传感器河南理工大学.ppt

第十章 光电传感器 1905年德国物理学家爱因斯坦用光量子学说解释了光电发射效应，并为此而获得1921年诺贝尔物理学奖。 紫外线管外形 当入射紫外线照射在紫外管阴极板上时，电子克服金属表面对它的束缚而逸出金属表面，形成电子发射。 紫外管多用于紫外线测量、火焰监测等。 光敏电阻图片 无极性，纯电阻，可加直流或交流偏压。 光敏电阻演示 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 光敏二极管 将光敏二极管的PN 结设置在透明管壳顶部的正下方，光照射到光敏二极管的PN结时，电子-空穴对数量增加，光电流与照度成正比。 光敏二极管的反向偏置接线（参考上页图）及光电特性演示 在没有光照时，由于二极管反向偏置，反向电流（暗电流）很小。 光电池外形 光电池在动力方面的应用 光电池在动力方面的应用（续） 光电池在动力方面的应用（续） 光敏晶闸管外形 光敏面 上海东方明珠 发光二极管产生多种颜色的光线，通过光导纤维传导到东方明珠球体的表面。在计算机控制下，可产生动态图案。 各种装饰性光导纤维 光缆的外形及光纤的拉制 梯度型：梯度型光纤的的折射率呈聚焦型，即在轴线上折射率最大，离开轴线则逐步降低，至纤芯区的边沿时，降低到与包层区一样。 工作原理： 光敏二极管在电路中一般处于反向偏置状态。 无光照时，PN结反向电阻很大， 反向电流很小； 有光照时，PN结处产生光生 电子-空穴对； 在电场作用下形成光电流， 光照越强光电流越大； 光电流方向与反向电流一致。 R E Dg 当光照增加时，光电流IΦ与光照度成正比关系。 光敏二极管的反向偏置接法 UO + — 光照 基本特性： 光照特性 图是硅光敏二极管在小负载电阻下的光照特性。光电流与照度成线性关系。 ② 光敏三极管 与普通晶体管不同的是，光敏晶体管将集电结做成光敏二极管，作为受光结。 另外集电极的面积做的较大，以收集更多的光电子。 大多数光敏晶体管的基极无引线，无论NPN、PNP一般集电结加反偏。 玻璃封装上有个聚光镜，便于收集光线。 N N P c b e IC IB e EB EC IE RC Rb c b N N P 普通三极管 IC e EC IE RC c N N P b 光敏三极管 基区很薄，基极一般不接引线； 集电极面积较大。 硅（Si）光敏晶体极管一般都是NPN结构，光照射在集电结的基区，产生电子、空穴，光生电子被拉向集电极，形成三极管输出电流，使晶体管具有电流增益。 在负载电阻RL上的输出电压为： —晶体管电流放大系数 N N P c b e 光敏三极管有两个PN结。与普通三极管相似，有电流增益，灵敏度比光敏二极管高。 多数光敏三极管的基极没有引出线，只有正负（c、e）两个引脚，所以其外型与光敏二极管相似，从外观上很难区别。 5. 光电池（有源器件） 光电池工作原理也是基于光生伏特效应，可以直接将光能转换成电能的器件。 光电池的用途： （1）电源 将太阳能转变为电能，广泛用于宇航电源； （2）传感器 用于检测和自动控制等。 光 电 池 符 号 光敏面 结构：光电池实质是一个大面积PN结，上电极为栅状受光电极，下面有一抗反射膜，下电极是一层衬底铝。 原理：当光照射PN结的一个面时，电子-空穴对迅速扩散，在结电场作用下建立一个与光照强度有关的电动势。一般可产生0.2V～0.6V电压50mA电流。 光电池电路连接 光电池作为电源使用时的不同连接。 需要高电压时应将光电池串联使用； 需要大电流时应将光电池并联使用。 例如：锗管发射极电压较低，可直接用1块光电池控制。 硅管的发射结导通电压为0.6V～0.7V，光电池的0.5V 电压起不到控制作用，可将两个光电池串联后接入基极。 太阳能赛车 太阳能电动机模型 太阳能 硅光电池板 太阳能发电 光电池在人造卫星上的应用 6. 其他光电管 ① PIN型硅光电二极管，高速光电二极管，响应时间达1ns，适用于遥控装置。 PIN光电二极管是在P区和N区之间插入一层电阻率很大的I层，从而减小了PN结的电容，提高了工作频率。 PIN光敏二极管的工作电压（反向偏置电压）高，光电转换效率高，暗电流小，其灵敏度比普通的光敏二极管高得多，响应频率可达数十兆赫，可用作各种数字与模拟光纤传输系统，各种家电遥控器的接收管（红外波段）、UHF 频带小信号开关。 ② 雪崩式光电二极管: