第三讲半导体二极管与三极管.ppt

第三讲 半导体器件 半导体二极管 依据制作材料分类，二极管主要有锗二极管和硅二极管两大类。 依据用途分类，较常用的二极管有四类： 普通二极管:如2AP等系列，用于信号检测、取样、小电流整流电路等。 整流二极管:如2CZ、2DZ等系列，广泛使用在各种电源设备中做不同功率的整流。 开关二极管:如2AK、2CK等系列，用于数字电路和控制电路。 稳压二极管:如2CW、2DW等系列，用在各种稳压电源和晶闸管电路中。 2.反向特性 （1）反向截止区OC段。反向电压开始增加时，反向电流略有增加，随后在一定范围内不随反向电压增加而增大，通常称为反向饱和电流。 （2）反向击穿区CD段 当反向电压增大到超过某个值时（图中C点），反向电流急剧加大，这种现象叫反向击穿。C点对应的电压叫反向击穿电压UBR，其特点是：反向电流变化很大，相对应的反向电压变化却很小。 硅二极管和锗二极管的伏安特性之间有一定的差异： (1) 锗二极管的死区较小，正向电阻也小，导通电压低（约0.2V）。但受温度影响大，反向电流也较大。击穿以后，锗管两端电压变化较大，无稳压特性。 (2)硅二极管的死区较大，正向电阻也较大，导通电压较高（约0.7V）。但受温度影响小，反向电流也很小。击穿后，硅管两端电压基本不变，有稳压作用。 1．最大整流电流IFM 常称额定工作电流，它是指长期使用时，允许流过二极管的最大平均电流。 2．反向击穿电压UBR 指二极管加反向电压时，当反向电流达到规定的数值时，二极管所加反向电压就是反向击穿电压，它反映二极管反向击穿状态。 3．最高反向工作电压（峰值）URM 常称额定工作电压，它是为了保证二极管不致反向击穿而规定的最高反向电压。 半导体二极管的选择 选择二极管的一般原则是： (1) 若要求导通后正向压降小时，选锗管；若要求反向电流小时，选硅管。 (2) 要求工作电流大时选面接触型；要求工作频率高时选点接触型。 (3) 要求反向击穿电压高时选硅管。 (4) 要求耐高温时选硅管。 二极管应用举例 钳位 将电路中某点的电位值钳制在选定的数值上，而不受负载变动影响的电路叫钳位电路。 限幅 特殊二极管 1.稳压管 （1）稳压管及其伏安特性。稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅二极管，它在电路中能起稳定电压的作用。 稳压管通常工作在反向击穿区。 （2）稳压管的主要参数 稳定电压UZ:指稳压管在正常工作时管子两端的电压。 稳定电流IZ:指稳压管保持稳定电压UZ时的工作电流值。 最大工作电流IZM :指稳压管允许流过的最大反向电流。 2.发光二极管 （1）结构和工作原理。发光二极管简写为LED（Light Emitting Diode）。当管子正向导通时将会发光。 优点： 发光二极管具有体积小、工作电压低、工作电流（10~30mA）、发光均匀稳定、响应速度快和寿命长等优点。 3、光电二极管 （1）结构与工作原理:光电二极管又叫光敏二极管，它是一种将光信号转化为电信号的器件。 光电二极管工作在反偏状态下，当无光照时，与普通二极管一样，反向电流很小，称为暗电流。当有光照时，其反向电流随光照强度的增加而增加，称为光电流。 场效应管 练 习 怎样利用二极管进行全波整流 三极管的电流控制原理 EB RB IB IC EC RC N P IE N 发射区向基区扩散电子 电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成IC EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB 特性曲线和主要参数 输入特性曲线 IB = f (UBE ) UC E = 常数 UCE≥1V 场效应管是继三极管之后发展起来的另一类具有放大作用的半导体器件。场效应管也具有PN结，但工作机理与三极管完全不同，它是利用电场效应控制电流大小。场效应管是一种电压控制型器件，同时它只有一种载流子参与导电，所以又称其为单极型器件。其特点是输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单。 B G栅极 D漏极 SiO2 B D G S P型硅衬底 S源极 结构图 电路符号 N+ N+ N沟道结型管 D G S 漏极（D） 栅极（G） 源极（S） P+ P+ N沟道 三个电极 源极 （S） 栅极 （G） 漏极 （D） 导电沟道连通源极S和漏极D 箭头方向指向管内——N沟道 工作原理 D与S之间是两个PN结反向串联，无论D与S之间加什么极性的电压，漏极电流均接近于零。 (1) UGS =0 结构示意图 衬底引线B UDS ID = 0 G D S P型硅衬底 SiO2 栅源电压对导电沟 道