场效应管及实际基本电路.ppt

模拟电子技术 1. 放大倍数Au ＋ － U o R L R S S D I d g m U gs 2.输入电阻 C 2 C 1 R G1 R S U DD R G2 150k 50k 2k ＋ ＋ R L 10k U o R G3 1M ＋ － ＋ － U i g m ＝2mA/V 图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的电路 3. 输出电阻Ro C 2 C 1 R G1 R S U DD R G2 150k 50k 2k ＋ ＋ U o R G3 1M R L 10k ＋ － ＋ － U i g m ＝2mA/V I o 图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路 作 业 3-1 3-3 3-4 3-5 3-7 3-8 (3)恒流区 ·曲线间隔均匀，uGS对iD控制能力强。 ·uDS对iD的控制能力弱，曲线平坦。 预夹断后所对应的区域。 uGSUGSth uGDUGSth（或uDSuGS-UGSth） 三、转移特性 (1)当uGSUGSth时，iD=0。 (2)当uGSUGSth时，iD 0，二者符合平方律关系。 iD≥0 u G S / V 0 3 2 1 1 2 3 4 5 U GS th i D / mA 图3―7 NMOSFET的转移特性曲线 3―2―3 N沟道耗尽型 MOSFET (Depletion NMOSFET) ID0表示uGS=0时所对应的漏极电流。 图 N沟道耗尽型MOS场效应管的沟道形成 B N ＋ 导电沟道（反型层） P 型衬底 N ＋ UGS=0，导电沟道已形成 图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 ( c ) D G S B 3―2―4各种类型MOS管的符号及特性对比 D G S D G S N 沟道 P 沟道 JFET 图3―11各种场效应管的符号对比 图3―11各种场效应管的符号对比 JFET：利用栅源电压（ 输入电压）对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。 MOSFET：利用栅源电压（ 输入电压）对半导体表面感生电荷量的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。 FET 输入电压 输出电流 G S S D uGS iD i D u G S U G S off 0 I DSS I D0 U G S th 结型 P 沟 耗尽型 P 沟 增强型 P 沟 MOS 耗尽型 N 沟 增强型 N 沟 MOS 结型 N 沟 图3―12各种场效应管的转移特性和输出特性对比 (a)转移特性 N沟道： P沟道： 图3―12各种场效应管的转移特性和输出特性对比 u D S i D 0 线性可变电阻区 0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 －1 －2 －3 －3 －4 －5 －6 －7 －8 －9 结型 P 沟 耗尽型 MOS P沟 －3 －4 －5 －6 0 －1 －2 0 1 2 3 －1 －2 －3 3 4 5 6 7 8 9 结型 N 沟 耗尽型 增强型 MOS N沟 U GS / V U GS / V 增强型 (b)输出特性 N沟道： P沟道： N-FET P-FET PNP-BJT NPN-BJT 截止 饱和/可变电阻 放大 BJT与FET工作状态的对比 场效应管工作状态的判断方法 1.先判断是否处于截止状态 2.再判断是否处于放大状态 或 或 指导思想：假设处于某一状态，然后用计算结果验证假设是否成立。 3―3 场效应管的参数和小信号模型 3―3―1 场效应管的主要参数 一、直流参数 1. 结型场效应管和耗尽型MOSFET的主要参数 (1)饱和漏极电流IDSS(ID0)： (2)夹断电压UGSoff：当栅源电压uGS=UGSoff时，iD=0。 对应uGS=0时的漏极电流。 2.增强型MOSFET的主要参数 对增强型MOSFET来说，主要参数有开启电压UGSth。 3.输入电阻RGS 对结型场效应管，RGS在108~1012Ω之间。 对MOS管，RGS在1010~1015Ω之间。 通常认为RGS →∞。 二、极限参数 (1)栅源击穿电压U(BR)GSO。 (2)漏源击穿电压U(BR)DSO。 (3)最大功耗PDM：PDM=ID·UDS 三、交流参数 1跨导gm 对JFET和耗尽型MOS管 那么 而对增强型MOSFET 那么，对应工作点Q的gm为 2.输出电阻rds 恒流区的rds可以用下式计算 UA为厄尔利电压。 若输入为正弦量，上式可改写为 通常rds较大，Uds对Id的影响可以忽略，则 3―3―2 场效应管的低频小信号模型 r ds ( a ) g