第1章-电力、电子器件.pptVIP

* 1.4.3 电力场效应晶体管 电力MOSFET的工作原理 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过 ■ 绝缘栅 反型层P---N 漏极 源极 栅极 * 1.4.3 电力场效应晶体管 导电：在栅源极间加正电压UGS 栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 ■ * 1.4.3 电力场效应晶体管 2. 电力MOSFET的基本特性 1)???静态特性 图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs ■ 饱和指漏源电压增加时漏极电流不再增加 * 1.4.3 电力场效应晶体管 MOSFET的漏极伏安特性： 截止区 饱和